Nitreto de gálio (GaN) cultivado epitaxialmente em wafers de safira de 4 e 6 polegadas para MEMS
Propriedades do GaN em wafers de safira
●Alta Eficiência:Dispositivos baseados em GaN fornecem cinco vezes mais potência do que dispositivos baseados em silício, melhorando o desempenho em diversas aplicações eletrônicas, incluindo amplificação de radiofrequência e optoeletrônica.
●Ampla faixa de banda:A ampla banda proibida do GaN permite alta eficiência em temperaturas elevadas, tornando-o ideal para aplicações de alta potência e alta frequência.
●Durabilidade:A capacidade do GaN de suportar condições extremas (altas temperaturas e radiação) garante um desempenho duradouro em ambientes hostis.
●Tamanho pequeno:O GaN permite a produção de dispositivos mais compactos e leves em comparação com os materiais semicondutores tradicionais, facilitando a criação de eletrônicos menores e mais potentes.
Resumo
O nitreto de gálio (GaN) está se consolidando como o semicondutor de escolha para aplicações avançadas que exigem alta potência e eficiência, como módulos front-end de RF, sistemas de comunicação de alta velocidade e iluminação LED. Os wafers epitaxiais de GaN, quando cultivados em substratos de safira, oferecem uma combinação de alta condutividade térmica, alta tensão de ruptura e ampla resposta de frequência, características essenciais para o desempenho ideal em dispositivos de comunicação sem fio, radares e bloqueadores de sinal. Esses wafers estão disponíveis em diâmetros de 4 e 6 polegadas, com diferentes espessuras de GaN para atender a diversos requisitos técnicos. As propriedades únicas do GaN o tornam um candidato ideal para o futuro da eletrônica de potência.
Parâmetros do produto
| Funcionalidade do produto | Especificação |
| Diâmetro do wafer | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrato | Safira |
| Espessura da camada de GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipo/Dopagem de GaN | Tipo N (Tipo P disponível mediante solicitação) |
| Orientação do cristal de GaN | <0001> |
| Tipo de polimento | Polido em um lado (SSP), Polido em ambos os lados (DSP) |
| Espessura do Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Variação Total da Espessura) | ≤ 10 μm |
| Arco | ≤ 10 μm |
| Urdidura | ≤ 10 μm |
| Área da superfície | Área útil > 90% |
Perguntas e Respostas
Q1: Quais são as principais vantagens de usar GaN em relação aos semicondutores tradicionais à base de silício?
A1O GaN oferece diversas vantagens significativas em relação ao silício, incluindo uma banda proibida mais ampla, o que permite suportar tensões de ruptura mais elevadas e operar com eficiência em temperaturas mais altas. Isso torna o GaN ideal para aplicações de alta potência e alta frequência, como módulos de RF, amplificadores de potência e LEDs. A capacidade do GaN de lidar com densidades de potência mais altas também possibilita dispositivos menores e mais eficientes em comparação com alternativas baseadas em silício.
Q2: É possível usar wafers de GaN sobre safira em aplicações de MEMS (Sistemas Microeletromecânicos)?
A2Sim, o GaN sobre wafers de safira é adequado para aplicações MEMS, especialmente onde são necessários alta potência, estabilidade térmica e baixo ruído. A durabilidade e a eficiência do material em ambientes de alta frequência o tornam ideal para dispositivos MEMS usados em sistemas de comunicação sem fio, sensores e radares.
Q3: Quais são as aplicações potenciais do GaN em comunicação sem fio?
A3O GaN é amplamente utilizado em módulos front-end de RF para comunicação sem fio, incluindo infraestrutura 5G, sistemas de radar e bloqueadores. Sua alta densidade de potência e condutividade térmica o tornam perfeito para dispositivos de alta potência e alta frequência, permitindo melhor desempenho e formatos menores em comparação com soluções baseadas em silício.
Q4: Quais são os prazos de entrega e as quantidades mínimas de encomenda para wafers de GaN sobre safira?
A4Os prazos de entrega e as quantidades mínimas de encomenda variam dependendo do tamanho do wafer, da espessura do GaN e dos requisitos específicos do cliente. Por favor, entre em contato conosco diretamente para obter preços detalhados e informações sobre disponibilidade com base nas suas especificações.
Q5: Posso obter espessuras de camada de GaN ou níveis de dopagem personalizados?
A5Sim, oferecemos personalização da espessura e dos níveis de dopagem do GaN para atender às necessidades específicas de cada aplicação. Informe-nos as especificações desejadas e forneceremos uma solução sob medida.
Diagrama detalhado
