Avanço significativo na tecnologia de remoção a laser de wafers de carbeto de silício de 12 polegadas

Índice

1. Grande avanço na tecnologia de remoção a laser de wafers de carbeto de silício de 12 polegadas

2. Múltiplas Importâncias do Avanço Tecnológico para o Desenvolvimento da Indústria de SiC

3. Perspectivas Futuras: Desenvolvimento Abrangente da XKH e Colaboração com a Indústria

Recentemente, a Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., uma das principais fabricantes nacionais de equipamentos para semicondutores, alcançou um avanço significativo na tecnologia de processamento de wafers de carbeto de silício (SiC). A empresa obteve sucesso na remoção de wafers de carbeto de silício de 12 polegadas utilizando seu equipamento de remoção a laser desenvolvido internamente. Este avanço representa um passo importante para a China no campo de equipamentos-chave de fabricação de semicondutores de terceira geração e oferece uma nova solução para redução de custos e aumento da eficiência na indústria global de carbeto de silício. Essa tecnologia já havia sido validada por diversos clientes no segmento de carbeto de silício de 6/8 polegadas, com o desempenho do equipamento atingindo níveis avançados internacionais.

 

77622d0dfa5edd67f125022c52e8e06c_副本

 

Essa inovação tecnológica possui múltiplos significados para o desenvolvimento da indústria de carboneto de silício, incluindo:

 

1. Redução significativa nos custos de produção:Em comparação com os wafers de carbeto de silício de 6 polegadas convencionais, os wafers de carbeto de silício de 12 polegadas aumentam a área disponível em aproximadamente quatro vezes, reduzindo os custos unitários do chip em 30% a 40%.

2. Capacidade de fornecimento industrial aprimorada:O projeto aborda os gargalos técnicos no processamento de wafers de carbeto de silício de grande porte, fornecendo suporte em equipamentos para a expansão global da capacidade de produção de carbeto de silício.

3. Processo de Substituição de Localização Acelerada:Isso quebra o monopólio tecnológico de empresas estrangeiras no campo de equipamentos de processamento de carboneto de silício de grande porte, fornecendo um importante suporte para o desenvolvimento autônomo e controlável de equipamentos semicondutores na China.

4. Promoção da Popularização de Aplicações a Jusante:A redução de custos acelerará a aplicação de dispositivos de carboneto de silício em áreas-chave, como veículos de novas energias e energias renováveis.

 

2

 

A Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. é uma empresa do Instituto de Semicondutores da Academia Chinesa de Ciências, focada na pesquisa e desenvolvimento, produção e venda de equipamentos especializados para semicondutores. Com a tecnologia de aplicação a laser como pilar central, a empresa desenvolveu uma série de equipamentos para processamento de semicondutores com direitos de propriedade intelectual independentes, atendendo aos principais clientes da indústria de semicondutores do país.

 

O CEO da Jingfei Semiconductor declarou: “Sempre priorizamos a inovação tecnológica para impulsionar o progresso industrial. O desenvolvimento bem-sucedido da tecnologia de remoção a laser de carbeto de silício de 12 polegadas não apenas reflete as capacidades técnicas da empresa, mas também se beneficia do forte apoio da Comissão Municipal de Ciência e Tecnologia de Pequim, do Instituto de Semicondutores da Academia Chinesa de Ciências e do projeto especial 'Inovação Tecnológica Disruptiva', organizado e implementado pelo Centro Nacional de Inovação Tecnológica de Pequim-Tianjin-Hebei. No futuro, continuaremos a aumentar o investimento em P&D para fornecer aos clientes soluções de equipamentos semicondutores de alta qualidade.”

 

Conclusão

Olhando para o futuro, a XKH aproveitará seu abrangente portfólio de substratos de carbeto de silício (cobrindo tamanhos de 2 a 12 polegadas com recursos de colagem e processamento personalizado) e tecnologia multimaterial (incluindo 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N, etc.) para responder ativamente à evolução tecnológica e às mudanças de mercado na indústria de SiC. Ao aprimorar continuamente o rendimento de wafers, reduzir os custos de produção e aprofundar a colaboração com fabricantes de equipamentos semicondutores e clientes finais, a XKH está comprometida em fornecer soluções de substrato de alto desempenho e alta confiabilidade para aplicações globais em novas energias, eletrônica de alta tensão e aplicações industriais de alta temperatura. Nosso objetivo é ajudar os clientes a superar barreiras técnicas e alcançar uma implementação escalável, posicionando-nos como um parceiro confiável em materiais essenciais na cadeia de valor do SiC.

 

https://www.xkh-semitech.com/4h-sic-epitaxial-wafers-for-ultra-high-voltage-mosfets-100-500-%ce%bcm-6-inch-product/

 


Data da publicação: 09/09/2025