No dia 26, a Power Cube Semi anunciou o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro semicondutor MOSFET de SiC (carboneto de silício) de 2300V da Coreia do Sul.
Em comparação com os semicondutores existentes à base de silício (Si), o carboneto de silício (SiC) suporta tensões mais elevadas, sendo considerado o dispositivo de próxima geração que liderará o futuro dos semicondutores de potência. Ele serve como um componente crucial para a introdução de tecnologias de ponta, como a proliferação de veículos elétricos e a expansão de data centers impulsionados por inteligência artificial.
A Power Cube Semi é uma empresa fabless que desenvolve dispositivos semicondutores de potência em três categorias principais: SiC (Carbeto de Silício), Si (Silício) e Ga2O3 (Óxido de Gálio). Recentemente, a empresa aplicou e vendeu diodos Schottky de alta capacidade (SBDs) para uma empresa global de veículos elétricos na China, obtendo reconhecimento por seu design e tecnologia de semicondutores.
O lançamento do MOSFET de SiC de 2300V é notável por ser o primeiro caso de desenvolvimento desse tipo na Coreia do Sul. A Infineon, empresa global de semicondutores de potência com sede na Alemanha, também anunciou o lançamento de seu produto de 2000V em março, mas sem uma linha de produtos de 2300V.
O MOSFET CoolSiC de 2000V da Infineon, que utiliza a embalagem TO-247PLUS-4-HCC, atende à demanda por maior densidade de potência entre os projetistas, garantindo a confiabilidade do sistema mesmo sob condições rigorosas de alta tensão e frequência de comutação.
O MOSFET CoolSiC oferece uma tensão de barramento de corrente contínua mais alta, permitindo o aumento da potência sem aumentar a corrente. É o primeiro dispositivo discreto de carbeto de silício no mercado com uma tensão de ruptura de 2000 V, utilizando a embalagem TO-247PLUS-4-HCC com uma distância de fuga de 14 mm e uma folga de 5,4 mm. Esses dispositivos apresentam baixas perdas de comutação e são adequados para aplicações como inversores de string solar, sistemas de armazenamento de energia e carregamento de veículos elétricos.
A série de MOSFETs CoolSiC de 2000V é adequada para sistemas de barramento CC de alta tensão, até 1500V CC. Comparado ao MOSFET SiC de 1700V, este dispositivo oferece margem de sobretensão suficiente para sistemas de 1500V CC. O MOSFET CoolSiC oferece uma tensão de limiar de 4,5V e vem equipado com diodos de corpo robustos para comutação estável. Com a tecnologia de conexão .XT, esses componentes oferecem excelente desempenho térmico e alta resistência à umidade.
Além do MOSFET CoolSiC de 2000V, a Infineon lançará em breve diodos CoolSiC complementares, encapsulados em TO-247PLUS de 4 pinos e TO-247-2, no terceiro e último trimestres de 2024, respectivamente. Esses diodos são particularmente adequados para aplicações solares. Combinações de drivers de gate compatíveis também estão disponíveis.
A série de MOSFETs CoolSiC de 2000V já está disponível no mercado. Além disso, a Infineon oferece placas de avaliação adequadas: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Os desenvolvedores podem usar esta placa como uma plataforma de teste geral e precisa para avaliar todos os MOSFETs e diodos CoolSiC com classificação de 2000V, bem como a série de drivers de isolamento de canal único compactos EiceDRIVER 1ED31xx, por meio de operação PWM de pulso duplo ou contínuo.
Gung Shin-soo, Diretor de Tecnologia da Power Cube Semi, afirmou: "Conseguimos ampliar nossa experiência existente no desenvolvimento e produção em massa de MOSFETs de SiC de 1700V para 2300V."
Data da publicação: 08/04/2024