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Equipamento de fatiamento a laser de alta precisão para wafers de SiC de 8 polegadas: a tecnologia central para o futuro processamento de wafers de SiC
O carboneto de silício (SiC) não é apenas uma tecnologia crítica para a defesa nacional, mas também um material essencial para as indústrias automotiva e de energia globais. Como primeira etapa crítica no processamento de cristais únicos de SiC, o fatiamento do wafer determina diretamente a qualidade do desbaste e polimento subsequentes. Tr...Ler mais -
Óculos de realidade aumentada (AR) de guia de onda de carboneto de silício de grau óptico: preparação de substratos semi-isolantes de alta pureza
No contexto da revolução da IA, os óculos de RA estão gradualmente entrando na consciência pública. Como um paradigma que combina perfeitamente os mundos virtual e real, os óculos de RA diferem dos dispositivos de RV por permitirem que os usuários percebam tanto imagens projetadas digitalmente quanto a luz ambiente...Ler mais -
Crescimento heteroepitaxial de 3C-SiC em substratos de silício com diferentes orientações
1. Introdução Apesar de décadas de pesquisa, o 3C-SiC heteroepitaxial cultivado em substratos de silício ainda não atingiu qualidade cristalina suficiente para aplicações eletrônicas industriais. O crescimento é tipicamente realizado em substratos de Si(100) ou Si(111), cada um apresentando desafios distintos: antifase...Ler mais -
Cerâmica de Carboneto de Silício vs. Carboneto de Silício Semicondutor: O Mesmo Material com Dois Destinos Distintos
O carboneto de silício (SiC) é um composto notável que pode ser encontrado tanto na indústria de semicondutores quanto em produtos cerâmicos avançados. Isso frequentemente causa confusão entre leigos, que podem confundi-los com o mesmo tipo de produto. Na realidade, embora compartilhem a mesma composição química, o SiC se manifesta...Ler mais -
Avanços em tecnologias de preparação de cerâmica de carboneto de silício de alta pureza
Cerâmicas de carboneto de silício (SiC) de alta pureza surgiram como materiais ideais para componentes críticos nas indústrias de semicondutores, aeroespacial e química devido à sua excepcional condutividade térmica, estabilidade química e resistência mecânica. Com a crescente demanda por alto desempenho e baixa pol...Ler mais -
Princípios técnicos e processos de wafers epitaxiais de LED
A partir do princípio de funcionamento dos LEDs, fica evidente que o material do wafer epitaxial é o componente central de um LED. De fato, parâmetros optoeletrônicos importantes, como comprimento de onda, brilho e tensão direta, são amplamente determinados pelo material epitaxial. Tecnologia e equipamentos de wafer epitaxial...Ler mais -
Considerações importantes para a preparação de cristais únicos de carboneto de silício de alta qualidade
Os principais métodos para a preparação de monocristais de silício incluem: Transporte Físico de Vapor (PVT), Crescimento em Solução de Semeadura Superior (TSSG) e Deposição Química de Vapor em Alta Temperatura (HT-CVD). Dentre eles, o método PVT é amplamente adotado na produção industrial devido à sua simplicidade de equipamentos e facilidade de...Ler mais -
Niobato de lítio sobre isolante (LNOI): impulsionando o avanço dos circuitos integrados fotônicos
Introdução Inspirado pelo sucesso dos circuitos integrados eletrônicos (EICs), o campo dos circuitos integrados fotônicos (PICs) vem evoluindo desde seu início em 1969. No entanto, diferentemente dos EICs, o desenvolvimento de uma plataforma universal capaz de suportar diversas aplicações fotônicas continua...Ler mais -
Principais considerações para a produção de monocristais de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade
Principais considerações para a produção de monocristais de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade Os principais métodos para o crescimento de monocristais de carboneto de silício incluem transporte físico de vapor (PVT), crescimento de solução de semeadura superior (TSSG) e cultivo químico de alta temperatura...Ler mais -
Tecnologia de wafer epitaxial de LED de última geração: impulsionando o futuro da iluminação
Os LEDs iluminam o nosso mundo, e no coração de cada LED de alto desempenho está o wafer epitaxial — um componente crítico que define seu brilho, cor e eficiência. Ao dominar a ciência do crescimento epitaxial, ...Ler mais -
O Fim de uma Era? A Falência da Wolfspeed Remodela o Cenário da SiC
A falência da Wolfspeed sinaliza uma grande reviravolta para a indústria de semicondutores de SiC. A Wolfspeed, líder de longa data em tecnologia de carboneto de silício (SiC), entrou com pedido de recuperação judicial esta semana, marcando uma mudança significativa no cenário global de semicondutores de SiC. A empresa...Ler mais -
Análise abrangente da formação de tensões em quartzo fundido: causas, mecanismos e efeitos
1. Estresse Térmico Durante o Resfriamento (Causa Primária) O quartzo fundido gera estresse sob condições de temperatura não uniformes. A qualquer temperatura, a estrutura atômica do quartzo fundido atinge uma configuração espacial relativamente "ótima". À medida que a temperatura muda, a es...Ler mais