Produtos
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Substrato SIC de 12 polegadas, carboneto de silício de grau nobre, diâmetro de 300 mm, tamanho grande 4H-N, adequado para dissipação de calor de dispositivos de alta potência
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Dia300x1,0mmt Espessura Wafer Safira C-Plane SSP/DSP
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Substrato de safira de 8 polegadas e 200 mm, espessura fina de wafer de safira 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
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Wafer HPSI SiC diâmetro: 3 polegadas espessura: 350um ± 25 µm para eletrônica de potência
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Wafer de carboneto de silício SiC de 8 polegadas, tipo 4H-N, 0,5 mm, grau de produção, substrato polido personalizado de grau de pesquisa
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Al2O3 monocristalino 99,999% de diâmetro, wafers de safira de 200 mm, espessura de 1,0 mm e 0,75 mm
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Wafer de safira de 156 mm e 159 mm de 6 polegadas para transportadora C-Plane DSP TTV
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Eixo C/A/M, wafers de safira de 4 polegadas, substrato de safira de alta dureza de cristal único Al2O3, SSP DSP
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Wafer de SiC semi-isolante de alta pureza de 3 polegadas (HPSI) 350um Grau fictício Grau principal
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Substrato de SiC tipo P, wafer de SiC Dia2inch, novo produto
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Método de processamento de superfície de hastes de laser de cristal de safira dopadas com titânio
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Wafers de carboneto de silício SiC de 8 polegadas e 200 mm, tipo 4H-N, grau de produção, espessura de 500 µm