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Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em modelo NPSS/FSS AlN em safira

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  • Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em modelo NPSS/FSS AlN em safira
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Pequena descrição:

AlN-On-Sapphire refere-se a uma combinação de materiais em que filmes de nitreto de alumínio são cultivados em substratos de safira.Nesta estrutura, o filme de nitreto de alumínio de alta qualidade pode ser cultivado por deposição química de vapor (CVD) ou deposição química de vapor organométrica (MOCVD), o que faz com que o filme de nitreto de alumínio e o substrato de safira tenham uma boa combinação.As vantagens desta estrutura são que o nitreto de alumínio possui alta condutividade térmica, alta estabilidade química e excelentes propriedades ópticas, enquanto o substrato de safira possui excelentes propriedades mecânicas e térmicas e transparência.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

AlN-On-Safira

AlN-On-Sapphire pode ser usado para fazer uma variedade de dispositivos fotoelétricos, como:
1. Chips de LED: Os chips de LED são geralmente feitos de filmes de nitreto de alumínio e outros materiais.A eficiência e a estabilidade dos LEDs podem ser melhoradas usando wafers AlN-On-Sapphire como substrato de chips de LED.
2. Lasers: Os wafers AlN-On-Sapphire também podem ser usados ​​como substratos para lasers, que são comumente usados ​​em processamento médico, de comunicações e de materiais.
3. Células solares: A fabricação de células solares requer o uso de materiais como o nitreto de alumínio.AlN-On-Sapphire como substrato pode melhorar a eficiência e a vida útil das células solares.
4. Outros dispositivos optoeletrônicos: Os wafers AlN-On-Sapphire também podem ser usados ​​para fabricar fotodetectores, dispositivos optoeletrônicos e outros dispositivos optoeletrônicos.

Concluindo, os wafers AlN-On-Sapphire são amplamente utilizados no campo optoelétrico devido à sua alta condutividade térmica, alta estabilidade química, baixa perda e excelentes propriedades ópticas.

Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS

Item Observações
Descrição Modelo AlN-on-NPSS Modelo AlN-on-FSS
Diâmetro da bolacha 50,8 mm, 100 mm
Substrato c-avião NPSS Plano C Safira Planar (FSS)
Espessura do substrato 50,8 mm, safira planar plana de 100 mmc (FSS) 100 mm: 650 um
Espessura da epi-camada AIN 3~4um (alvo: 3,3um)
Condutividade Isolante

Superfície

 Conforme crescido
RMS<1nm RMS<2nm
Parte traseira Moído
FWHM(002)XRC < 150 segundos de arco < 150 segundos de arco
FWHM(102)XRC <300 segundos de arco <300 segundos de arco
Exclusão de borda <2 mm <3mm
Orientação plana primária a-plano+0,1°
Comprimento plano primário 50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Pacote Embalado em caixa de transporte ou recipiente de wafer único

Diagrama Detalhado

Modelo FSS AlN em sapphire3
Modelo FSS AlN em safira4
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