150mm 6 polegadas 0,7mm 0,5mm Safira Wafer Substrato Transportador C-Plane SSP/DSP

150mm 6 polegadas 0,7mm 0,5mm Safira Wafer Substrato Carrier C-Plane SSP/DSP Imagem em destaque

Pequena descrição:

Todas as opções acima são descrições corretas de cristais de safira.O excelente desempenho do cristal de safira o torna amplamente utilizado em áreas técnicas de ponta.Com o rápido desenvolvimento da indústria LED, a demanda por materiais de cristal de safira também está aumentando.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Formulários

As aplicações para wafers de safira de 6 polegadas incluem:

1. Fabricação de LED: o wafer de safira pode ser usado como substrato de chips de LED, e sua dureza e condutividade térmica podem melhorar a estabilidade e a vida útil dos chips de LED.

2. Fabricação a laser: O wafer de safira também pode ser usado como substrato do laser, para ajudar a melhorar o desempenho do laser e prolongar a vida útil.

3. Fabricação de semicondutores: Os wafers de safira são amplamente utilizados na fabricação de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, incluindo síntese óptica, células solares, dispositivos eletrônicos de alta frequência, etc.

4. Outras aplicações: O wafer de safira também pode ser usado para fabricar telas sensíveis ao toque, dispositivos ópticos, células solares de película fina e outros produtos de alta tecnologia.

Especificação

Material	Al2O3 de cristal único de alta pureza, wafer de safira.
Dimensão	150 mm +/- 0,05 mm, 6 polegadas
Grossura	1300 +/- 25um
Orientação	Plano C (0001) fora do plano M (1-100) 0,2 +/- 0,05 graus
Orientação plana primária	Um plano +/- 1 grau
Comprimento plano primário	47,5 mm +/- 1 mm
Variação Total da Espessura (TTV)	<20 hum
Arco	<25 hum
Urdidura	<25 hum
Coeficiente de Expansão Térmica	6,66 x 10-6 /°C paralelo ao eixo C, 5 x 10-6 /°C perpendicular ao eixo C
Rigidez dielétrica	4,8 x 105 V/cm
Constante dielétrica	11,5 (1 MHz) ao longo do eixo C, 9,3 (1 MHz) perpendicular ao eixo C
Tangente de perda dielétrica (também conhecido como fator de dissipação)	menos de 1 x 10-4
Condutividade térmica	40 W/(mK) a 20°C
Polimento	polido de lado único (SSP) ou polido de lado duplo (DSP) Ra <0,5 nm (por AFM).O verso do wafer SSP foi retificado para Ra = 0,8 - 1,2 um.
Transmitância	88% +/-1% a 460 nm