Atualmente, nossa empresa pode continuar a fornecer pequenos lotes de wafers SiC tipo 8inchN, se você tiver necessidades de amostra, não hesite em contactar-me. Temos algumas amostras de wafers prontas para envio.
Na área de materiais semicondutores, a empresa fez um grande avanço na pesquisa e desenvolvimento de cristais de SiC de grande porte. Ao usar seus próprios cristais de sementes após várias rodadas de aumento de diâmetro, a empresa cultivou com sucesso cristais de SiC tipo N de 8 polegadas, o que resolve problemas difíceis, como campo de temperatura irregular, rachadura de cristal e distribuição de matéria-prima em fase gasosa no processo de crescimento de Cristais SIC de 8 polegadas e acelera o crescimento de cristais SIC de grande tamanho e a tecnologia de processamento autônoma e controlável. Melhorar significativamente a competitividade central da empresa na indústria de substrato de cristal único de SiC. Ao mesmo tempo, a empresa promove ativamente o acúmulo de tecnologia e processo de linha experimental de preparação de substrato de carboneto de silício de grande porte, fortalece o intercâmbio técnico e a colaboração industrial nos campos upstream e downstream e colabora com os clientes para iterar constantemente o desempenho do produto e, em conjunto promove o ritmo de aplicação industrial de materiais de carboneto de silício.
| Especificações SiC DSP tipo N de 8 polegadas | |||||
| Número | Item | Unidade | Produção | Pesquisar | Fictício |
| 1. Parâmetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientação da superfície | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parâmetro elétrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitrogênio tipo n | Nitrogênio tipo n | Nitrogênio tipo n |
| 2.2 | resistividade | ohm·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parâmetro mecânico | |||||
| 3.1 | diâmetro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | grossura | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientação do entalhe | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Profundidade do entalhe | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Urdidura | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Estrutura | |||||
| 4.1 | densidade do microtubo | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | conteúdo metálico | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | DBP | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10.000 | NA |
| 5. Qualidade positiva | |||||
| 5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabamento superficial | -- | CMP de face Si | CMP de face Si | CMP de face Si |
| 5.3 | partícula | cada/bolacha | ≤100(tamanho≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | arranhar | cada/bolacha | ≤5,Comprimento Total≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Borda lascas/recortes/rachaduras/manchas/contaminação | -- | Nenhum | Nenhum | NA |
| 5.6 | Áreas politípicas | -- | Nenhum | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marcação frontal | -- | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
| 6. Qualidade traseira | |||||
| 6.1 | acabamento traseiro | -- | Deputado face C | Deputado face C | Deputado face C |
| 6.2 | arranhar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Borda de defeitos traseiros chips/recuos | -- | Nenhum | Nenhum | NA |
| 6.4 | Rugosidade nas costas | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Marcação traseira | -- | Entalhe | Entalhe | Entalhe |
| 7. Borda | |||||
| 7.1 | borda | -- | Chanfro | Chanfro | Chanfro |
| 8. Pacote | |||||
| 8.1 | embalagem | -- | Epi-pronto com vácuo embalagem | Epi-pronto com vácuo embalagem | Epi-pronto com vácuo embalagem |
| 8.2 | embalagem | -- | Multi-wafer embalagem de cassete | Multi-wafer embalagem de cassete | Multi-wafer embalagem de cassete |
Horário da postagem: 18 de abril de 2023