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Troque os materiais de dissipação de calor! A demanda por substratos de carboneto de silício está prestes a explodir!
Sumário 1. Gargalo na dissipação de calor em chips de IA e o avanço dos materiais de carboneto de silício 2. Características e vantagens técnicas dos substratos de carboneto de silício 3. Planos estratégicos e desenvolvimento colaborativo da NVIDIA e da TSMC 4. Caminho de implementação e principais aspectos técnicos...Leia mais -
Avanço significativo na tecnologia de remoção a laser de wafers de carbeto de silício de 12 polegadas
Sumário 1. Grande avanço na tecnologia de remoção a laser de wafers de carbeto de silício de 12 polegadas 2. Múltiplas implicações do avanço tecnológico para o desenvolvimento da indústria de SiC 3. Perspectivas futuras: desenvolvimento abrangente da XKH e colaboração com a indústria Recentemente,...Leia mais -
Título: O que é FOUP na fabricação de chips?
Sumário 1. Visão geral e funções principais do FOUP 2. Estrutura e características de design do FOUP 3. Classificação e diretrizes de aplicação do FOUP 4. Operações e importância do FOUP na fabricação de semicondutores 5. Desafios técnicos e tendências de desenvolvimento futuro 6. Clientes da XKH...Leia mais -
Tecnologia de limpeza de wafers na fabricação de semicondutores
Tecnologia de limpeza de wafers na fabricação de semicondutores. A limpeza de wafers é uma etapa crítica em todo o processo de fabricação de semicondutores e um dos principais fatores que afetam diretamente o desempenho do dispositivo e o rendimento da produção. Durante a fabricação do chip, até mesmo a menor contaminação...Leia mais -
Tecnologias de limpeza de wafers e documentação técnica
Sumário 1. Objetivos Essenciais e Importância da Limpeza de Wafer 2. Avaliação da Contaminação e Técnicas Analíticas Avançadas 3. Métodos Avançados de Limpeza e Princípios Técnicos 4. Implementação Técnica e Fundamentos do Controle de Processo 5. Tendências Futuras e Direções Inovadoras 6. X...Leia mais -
Cristais únicos recém-cultivados
Cristais únicos são raros na natureza e, mesmo quando ocorrem, geralmente são muito pequenos — tipicamente na escala de milímetros (mm) — e difíceis de obter. Diamantes, esmeraldas, ágatas, etc., relatados, geralmente não entram em circulação no mercado, muito menos em aplicações industriais; a maioria é exibida...Leia mais -
O maior comprador de alumina de alta pureza: quanto você sabe sobre safira?
Os cristais de safira são cultivados a partir de pó de alumina de alta pureza, com pureza superior a 99,995%, o que os torna a área de maior demanda por alumina de alta pureza. Apresentam alta resistência, alta dureza e propriedades químicas estáveis, permitindo sua operação em ambientes agressivos, como altas temperaturas...Leia mais -
O que significam TTV, BOW, WARP e TIR em wafers?
Ao examinar wafers de silício semicondutor ou substratos feitos de outros materiais, frequentemente encontramos indicadores técnicos como: TTV, BOW, WARP e, possivelmente, TIR, STIR, LTV, entre outros. O que esses parâmetros representam? TTV — Variação Total da Espessura; BOW — Curvatura; WARP — Empenamento; TIR — ...Leia mais -
Principais matérias-primas para a produção de semicondutores: Tipos de substratos de wafer
Substratos de wafer como materiais-chave em dispositivos semicondutores. Os substratos de wafer são os suportes físicos dos dispositivos semicondutores, e suas propriedades materiais determinam diretamente o desempenho, o custo e os campos de aplicação dos dispositivos. Abaixo estão os principais tipos de substratos de wafer, juntamente com suas vantagens...Leia mais -
Equipamento de corte a laser de alta precisão para wafers de SiC de 8 polegadas: a tecnologia essencial para o futuro do processamento de wafers de SiC.
O carboneto de silício (SiC) não é apenas uma tecnologia crítica para a defesa nacional, mas também um material fundamental para as indústrias automotiva e de energia globais. Como primeiro passo crítico no processamento de monocristais de SiC, o corte do wafer determina diretamente a qualidade do subsequente afinamento e polimento.Leia mais -
Vidros antirreflexo de guia de onda de carbeto de silício de grau óptico: preparação de substratos semi-isolantes de alta pureza
Em meio à revolução da IA, os óculos de RA estão gradualmente entrando no imaginário popular. Como um paradigma que combina perfeitamente os mundos virtual e real, os óculos de RA diferem dos dispositivos de RV por permitirem que os usuários percebam simultaneamente imagens projetadas digitalmente e a luz ambiente.Leia mais -
Crescimento heteroepitaxial de 3C-SiC em substratos de silício com diferentes orientações.
1. Introdução Apesar de décadas de pesquisa, o 3C-SiC heteroepitaxial crescido em substratos de silício ainda não atingiu qualidade cristalina suficiente para aplicações eletrônicas industriais. O crescimento é tipicamente realizado em substratos de Si(100) ou Si(111), cada um apresentando desafios distintos: antifase ...Leia mais