No dia 26, a Power Cube Semi anunciou o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro semicondutor MOSFET 2300V SiC (Carbeto de Silício) da Coreia do Sul. Comparado aos semicondutores existentes à base de Si (Silício), o SiC (Carbeto de Silício) pode suportar tensões mais altas, sendo, portanto, aclamado...
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