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  • A relação entre planos cristalinos e orientação cristalina.

    A relação entre planos cristalinos e orientação cristalina.

    Planos cristalinos e orientação cristalina são dois conceitos centrais em cristalografia, intimamente relacionados à estrutura cristalina na tecnologia de circuitos integrados à base de silício. 1. Definição e propriedades da orientação cristalina A orientação cristalina representa uma direção específica...
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  • Quais são as vantagens dos processos Through Glass Via (TGV) e Through Silicon Via, TSV (TSV) em relação ao TGV?

    Quais são as vantagens dos processos Through Glass Via (TGV) e Through Silicon Via, TSV (TSV) em relação ao TGV?

    As vantagens dos processos Through Glass Via (TGV) e Through Silicon Via (TSV) em relação ao TGV são principalmente: (1) excelentes características elétricas de alta frequência. O vidro é um material isolante, com uma constante dielétrica de apenas cerca de 1/3 da do silício e um fator de perda de 2-...
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  • Aplicações de substrato de carboneto de silício condutivo e semi-isolado

    Aplicações de substrato de carboneto de silício condutivo e semi-isolado

    O substrato de carboneto de silício é dividido em tipo semi-isolante e tipo condutor. Atualmente, a especificação principal dos produtos de substrato de carboneto de silício semi-isolado é de 4 polegadas. No caso do carboneto de silício condutivo...
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  • Também há diferenças na aplicação de pastilhas de safira com diferentes orientações de cristal?

    Também há diferenças na aplicação de pastilhas de safira com diferentes orientações de cristal?

    Safira é um cristal único de alumina, pertence ao sistema de cristal tripartido, estrutura hexagonal, sua estrutura cristalina é composta de três átomos de oxigênio e dois átomos de alumínio em ligação covalente, dispostos muito próximos, com forte cadeia de ligação e energia de rede, enquanto seu cristal...
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  • Qual é a diferença entre substrato condutor de SiC e substrato semi-isolado?

    Qual é a diferença entre substrato condutor de SiC e substrato semi-isolado?

    Dispositivo de carboneto de silício SiC refere-se ao dispositivo feito de carboneto de silício como matéria-prima. De acordo com as diferentes propriedades de resistência, ele é dividido em dispositivos de potência condutivos de carboneto de silício e dispositivos de RF de carboneto de silício semi-isolados. Os principais formatos do dispositivo e...
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  • Um artigo te leva a um mestre do TGV

    Um artigo te leva a um mestre do TGV

    O que é TGV? TGV (Through-Glass via), uma tecnologia que cria furos passantes em um substrato de vidro. Em termos simples, TGV é um edifício alto que perfura, preenche e conecta o vidro para construir circuitos integrados na superfície de vidro...
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  • Quais são os indicadores de avaliação da qualidade da superfície do wafer?

    Quais são os indicadores de avaliação da qualidade da superfície do wafer?

    Com o desenvolvimento contínuo da tecnologia de semicondutores, na indústria de semicondutores e até mesmo na indústria fotovoltaica, os requisitos para a qualidade da superfície do substrato do wafer ou da folha epitaxial também são muito rigorosos. Então, quais são os requisitos de qualidade para...
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  • O quanto você sabe sobre o processo de crescimento de cristais únicos de SiC?

    O quanto você sabe sobre o processo de crescimento de cristais únicos de SiC?

    O carboneto de silício (SiC), como um tipo de material semicondutor com banda larga, desempenha um papel cada vez mais importante na aplicação da ciência e tecnologia modernas. O carboneto de silício possui excelente estabilidade térmica, alta tolerância a campos elétricos, condutividade intencional e...
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  • A batalha revolucionária dos substratos domésticos de SiC

    A batalha revolucionária dos substratos domésticos de SiC

    Nos últimos anos, com a penetração contínua de aplicações downstream, como veículos de nova geração, geração de energia fotovoltaica e armazenamento de energia, o SiC, como um novo material semicondutor, desempenha um papel importante nessas áreas. De acordo...
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  • MOSFET SiC, 2300 volts.

    MOSFET SiC, 2300 volts.

    No dia 26, a Power Cube Semi anunciou o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro semicondutor MOSFET de SiC (Carbeto de Silício) de 2300 V da Coreia do Sul. Comparado aos semicondutores existentes à base de Si (Silício), o SiC (Carbeto de Silício) pode suportar tensões mais altas, sendo, portanto, aclamado como o...
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  • A recuperação de semicondutores é apenas uma ilusão?

    A recuperação de semicondutores é apenas uma ilusão?

    De 2021 a 2022, houve um rápido crescimento no mercado global de semicondutores devido ao surgimento de demandas especiais decorrentes do surto de COVID-19. No entanto, com o fim da demanda especial causada pela pandemia de COVID-19 no segundo semestre de 2022 e a queda acentuada...
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  • Em 2024, as despesas de capital em semicondutores diminuíram

    Em 2024, as despesas de capital em semicondutores diminuíram

    Na quarta-feira, o presidente Biden anunciou um acordo para fornecer à Intel US$ 8,5 bilhões em financiamento direto e US$ 11 bilhões em empréstimos sob o CHIPS and Science Act. A Intel usará esse financiamento para suas fábricas de wafers no Arizona, Ohio, Novo México e Oregon. Conforme relatado em nosso...
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