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Aplicações de substratos de carbeto de silício condutores e semi-isolantes
O substrato de carbeto de silício é dividido em tipo semi-isolante e tipo condutor. Atualmente, a especificação mais comum para substratos de carbeto de silício semi-isolantes é de 4 polegadas. Já o carbeto de silício condutor...Leia mais -
Existem também diferenças na aplicação de lâminas de safira com diferentes orientações cristalinas?
A safira é um monocristal de alumina, pertencente ao sistema cristalino tripartido, com estrutura hexagonal. Sua estrutura cristalina é composta por três átomos de oxigênio e dois átomos de alumínio ligados covalentemente, dispostos de forma muito compacta, com forte cadeia de ligação e alta energia reticular. A safira é um cristal único de alumina, pertencente ao sistema cristalino tripartido, com estrutura hexagonal. Sua integridade cristalina é elevada.Leia mais -
Qual a diferença entre um substrato condutor de SiC e um substrato semi-isolante?
Dispositivos de carbeto de silício (SiC) são dispositivos fabricados com carbeto de silício como matéria-prima. De acordo com suas diferentes propriedades de resistência, são divididos em dispositivos de potência de carbeto de silício condutivos e dispositivos de radiofrequência (RF) de carbeto de silício semi-isolantes. Os principais formatos e...Leia mais -
Um artigo te leva a um mestre do TGV
O que é TGV? TGV (Through-Glass via) é uma tecnologia que cria furos passantes em um substrato de vidro. Em termos simples, o TGV é uma estrutura complexa que perfura, preenche e conecta o vidro verticalmente para construir circuitos integrados na superfície do vidro.Leia mais -
Quais são os indicadores de avaliação da qualidade da superfície do wafer?
Com o desenvolvimento contínuo da tecnologia de semicondutores, tanto na indústria de semicondutores quanto na indústria fotovoltaica, os requisitos para a qualidade da superfície do substrato do wafer ou da folha epitaxial também são muito rigorosos. Então, quais são os requisitos de qualidade para...Leia mais -
Quanto você sabe sobre o processo de crescimento de monocristais de SiC?
O carbeto de silício (SiC), um tipo de material semicondutor de banda proibida larga, desempenha um papel cada vez mais importante nas aplicações da ciência e tecnologia modernas. O carbeto de silício possui excelente estabilidade térmica, alta tolerância a campos elétricos, condutividade intencional e...Leia mais -
A Batalha Decisiva dos Substratos Nacionais de SiC
Nos últimos anos, com a penetração contínua de aplicações a jusante, como veículos de novas energias, geração de energia fotovoltaica e armazenamento de energia, o SiC, como um novo material semicondutor, desempenha um papel importante nesses campos. Além disso...Leia mais -
MOSFET de SiC, 2300 volts.
No dia 26, a Power Cube Semi anunciou o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro MOSFET de SiC (carboneto de silício) de 2300V da Coreia do Sul. Comparado aos semicondutores de silício existentes, o SiC (carboneto de silício) suporta tensões mais altas, sendo considerado uma tecnologia promissora para a geração de semicondutores de alta potência.Leia mais -
A recuperação dos semicondutores é apenas uma ilusão?
De 2021 a 2022, houve um rápido crescimento no mercado global de semicondutores devido ao surgimento de demandas especiais resultantes da pandemia de COVID-19. No entanto, como as demandas especiais causadas pela pandemia de COVID-19 terminaram no segundo semestre de 2022 e entraram em declínio...Leia mais -
Em 2024, o investimento em semicondutores diminuiu.
Na quarta-feira, o presidente Biden anunciou um acordo para fornecer à Intel US$ 8,5 bilhões em financiamento direto e US$ 11 bilhões em empréstimos, de acordo com a Lei CHIPS e Ciência. A Intel usará esse financiamento em suas fábricas de wafers no Arizona, Ohio, Novo México e Oregon. Conforme relatado em nossa...Leia mais -
O que é um wafer de SiC?
As pastilhas de SiC são semicondutores feitos de carbeto de silício. Este material foi desenvolvido em 1893 e é ideal para uma variedade de aplicações. É especialmente adequado para diodos Schottky, diodos Schottky de junção, interruptores e transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs).Leia mais -
Interpretação detalhada do semicondutor de terceira geração – carbeto de silício
Introdução ao carboneto de silício O carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor composto de carbono e silício, sendo um dos materiais ideais para a fabricação de dispositivos de alta temperatura, alta frequência, alta potência e alta tensão. Comparado com os materiais tradicionais...Leia mais