No dia 26, a Power Cube Semi anunciou o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro semicondutor MOSFET SiC (Carbeto de Silício) de 2300 V da Coreia do Sul.
Comparado aos semicondutores existentes à base de Si (Silício), o SiC (Carbeto de Silício) pode suportar tensões mais altas, sendo, portanto, aclamado como o dispositivo de próxima geração que lidera o futuro dos semicondutores de potência. Ele serve como um componente crucial necessário para a introdução de tecnologias de ponta, como a proliferação de veículos elétricos e a expansão de data centers impulsionada por inteligência artificial.
A Power Cube Semi é uma empresa sem fábrica (fabless) que desenvolve dispositivos semicondutores de potência em três categorias principais: SiC (Carbeto de Silício), Si (Silício) e Ga2O3 (Óxido de Gálio). Recentemente, a empresa aplicou e vendeu Diodos de Barreira Schottky (SBDs) de alta capacidade para uma empresa global de veículos elétricos na China, obtendo reconhecimento por seu design e tecnologia de semicondutores.
O lançamento do MOSFET SiC de 2300 V é notável por ser o primeiro caso de desenvolvimento desse tipo na Coreia do Sul. A Infineon, empresa global de semicondutores de potência com sede na Alemanha, também anunciou o lançamento de seu produto de 2000 V em março, mas sem uma linha de produtos de 2300 V.
O MOSFET CoolSiC de 2000 V da Infineon, utilizando o pacote TO-247PLUS-4-HCC, atende à demanda por maior densidade de potência entre os projetistas, garantindo a confiabilidade do sistema mesmo sob condições rigorosas de alta tensão e frequência de comutação.
O MOSFET CoolSiC oferece uma tensão de ligação de corrente contínua mais alta, permitindo aumento de potência sem aumento de corrente. É o primeiro dispositivo discreto de carboneto de silício do mercado com tensão de ruptura de 2000 V, utilizando o encapsulamento TO-247PLUS-4-HCC com distância de fuga de 14 mm e folga de 5,4 mm. Esses dispositivos apresentam baixas perdas de comutação e são adequados para aplicações como inversores solares de string, sistemas de armazenamento de energia e carregamento de veículos elétricos.
A série de produtos CoolSiC MOSFET 2000V é adequada para sistemas de barramento CC de alta tensão de até 1500V CC. Comparado ao MOSFET SiC de 1700V, este dispositivo oferece margem de sobretensão suficiente para sistemas CC de 1500V. O CoolSiC MOSFET oferece uma tensão limite de 4,5V e vem equipado com diodos de corpo robustos para comutação rígida. Com a tecnologia de conexão .XT, esses componentes oferecem excelente desempenho térmico e forte resistência à umidade.
Além do MOSFET CoolSiC de 2000 V, a Infineon lançará em breve diodos CoolSiC complementares encapsulados em encapsulamentos TO-247PLUS de 4 pinos e TO-247-2 no terceiro trimestre de 2024 e no último trimestre de 2024, respectivamente. Esses diodos são particularmente adequados para aplicações solares. Combinações de produtos de gate driver correspondentes também estão disponíveis.
A série de produtos CoolSiC MOSFET 2000V já está disponível no mercado. Além disso, a Infineon oferece placas de avaliação adequadas: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Os desenvolvedores podem usar esta placa como uma plataforma de teste geral precisa para avaliar todos os MOSFETs e diodos CoolSiC de 2000V, bem como a série de produtos 1ED31xx de drivers de porta de isolamento compactos de canal único EiceDRIVER, por meio de operação PWM de pulso duplo ou contínua.
Gung Shin-soo, diretor de tecnologia da Power Cube Semi, declarou: "Conseguimos estender nossa experiência existente no desenvolvimento e produção em massa de MOSFETs SiC de 1700 V para 2300 V.
Horário da postagem: 08/04/2024