No dia 26, a Power Cube Semi anunciou o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro semicondutor MOSFET 2300V SiC (Carbeto de Silício) da Coreia do Sul.
Comparado aos semicondutores existentes à base de Si (Silício), o SiC (Carbeto de Silício) pode suportar tensões mais altas, sendo, portanto, aclamado como o dispositivo de próxima geração que lidera o futuro dos semicondutores de potência. Serve como um componente crucial necessário para a introdução de tecnologias de ponta, como a proliferação de veículos eléctricos e a expansão de centros de dados impulsionados pela inteligência artificial.
Power Cube Semi é uma empresa sem fábrica que desenvolve dispositivos semicondutores de potência em três categorias principais: SiC (carboneto de silício), Si (silício) e Ga2O3 (óxido de gálio). Recentemente, a empresa aplicou e vendeu Diodos de Barreira Schottky (SBDs) de alta capacidade para uma empresa global de veículos elétricos na China, ganhando reconhecimento por seu design e tecnologia de semicondutores.
O lançamento do MOSFET SiC 2300V é digno de nota como o primeiro caso de desenvolvimento desse tipo na Coreia do Sul. A Infineon, uma empresa global de semicondutores de energia com sede na Alemanha, também anunciou o lançamento de seu produto de 2.000 V em março, mas sem uma linha de produtos de 2.300 V.
O MOSFET CoolSiC 2000V da Infineon, utilizando o pacote TO-247PLUS-4-HCC, atende à demanda por maior densidade de potência entre os projetistas, garantindo a confiabilidade do sistema mesmo sob condições rigorosas de alta tensão e frequência de comutação.
O CoolSiC MOSFET oferece uma tensão de link de corrente contínua mais alta, permitindo aumento de potência sem aumentar a corrente. É o primeiro dispositivo discreto de carboneto de silício do mercado com tensão de ruptura de 2.000 V, utilizando o pacote TO-247PLUS-4-HCC com distância de fuga de 14 mm e folga de 5,4 mm. Esses dispositivos apresentam baixas perdas de comutação e são adequados para aplicações como inversores solares, sistemas de armazenamento de energia e carregamento de veículos elétricos.
A série de produtos CoolSiC MOSFET 2000V é adequada para sistemas de barramento CC de alta tensão de até 1500V CC. Comparado ao MOSFET SiC de 1700 V, este dispositivo fornece margem de sobretensão suficiente para sistemas de 1500 V CC. O CoolSiC MOSFET oferece uma tensão limite de 4,5 V e vem equipado com diodos robustos para comutação difícil. Com tecnologia de conexão .XT, esses componentes oferecem excelente desempenho térmico e forte resistência à umidade.
Além do MOSFET CoolSiC de 2.000 V, a Infineon lançará em breve diodos CoolSiC complementares embalados em pacotes TO-247PLUS de 4 pinos e TO-247-2 no terceiro trimestre de 2024 e no último trimestre de 2024, respectivamente. Esses diodos são particularmente adequados para aplicações solares. Combinações correspondentes de produtos de acionamento de portão também estão disponíveis.
A série de produtos CoolSiC MOSFET 2000V já está disponível no mercado. Além disso, a Infineon oferece placas de avaliação adequadas: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Os desenvolvedores podem usar esta placa como uma plataforma de teste geral precisa para avaliar todos os MOSFETs e diodos CoolSiC classificados em 2.000 V, bem como o driver de porta de isolamento compacto de canal único EiceDRIVER série de produtos 1ED31xx por meio de pulso duplo ou operação PWM contínua.
Gung Shin-soo, diretor de tecnologia da Power Cube Semi, afirmou: "Conseguimos ampliar nossa experiência existente no desenvolvimento e produção em massa de MOSFETs SiC de 1700V para 2300V.
Horário da postagem: 08/04/2024