A Batalha Decisiva dos Substratos Nacionais de SiC

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Nos últimos anos, com a penetração contínua de aplicações downstream, como veículos de novas energias, geração de energia fotovoltaica e armazenamento de energia, o SiC, como um novo material semicondutor, desempenha um papel importante nesses campos. De acordo com o Relatório de Mercado de SiC para Potência da Yole Intelligence, divulgado em 2023, prevê-se que, até 2028, o tamanho do mercado global de dispositivos de SiC para potência atingirá quase US$ 9 bilhões, representando um crescimento de aproximadamente 31% em comparação com 2022. O tamanho geral do mercado de semicondutores de SiC apresenta uma tendência de expansão constante.

Entre as inúmeras aplicações de mercado, os veículos de novas energias dominam com uma participação de 70%. Atualmente, a China se tornou o maior produtor, consumidor e exportador mundial de veículos de novas energias. De acordo com o "Nikkei Asian Review", em 2023, impulsionadas pelos veículos de novas energias, as exportações de automóveis da China ultrapassaram as do Japão pela primeira vez, tornando a China o maior exportador mundial de automóveis.

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Diante da crescente demanda do mercado, a indústria de SiC da China está vivenciando uma oportunidade de desenvolvimento crucial.

Desde o lançamento do "Décimo Terceiro Plano Quinquenal" para Inovação Científica e Tecnológica Nacional pelo Conselho de Estado em julho de 2016, o desenvolvimento de chips semicondutores de terceira geração tem recebido grande atenção do governo e obtido respostas positivas e amplo apoio em diversas regiões. Em agosto de 2021, o Ministério da Indústria e Tecnologia da Informação (MIIT) incluiu os semicondutores de terceira geração no "Décimo Quarto Plano Quinquenal" para o desenvolvimento da inovação científica e tecnológica industrial, impulsionando ainda mais o crescimento do mercado nacional de SiC.

Impulsionados tanto pela demanda do mercado quanto por políticas públicas, os projetos da indústria nacional de SiC estão surgindo rapidamente, como cogumelos após a chuva, apresentando um cenário de amplo desenvolvimento. De acordo com nossas estatísticas ainda incompletas, até o momento, projetos de construção relacionados ao SiC foram implementados em pelo menos 17 cidades. Entre elas, Jiangsu, Xangai, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian e outras regiões se tornaram importantes polos para o desenvolvimento da indústria de SiC. Em particular, com a entrada em operação do novo projeto da ReTopTech, toda a cadeia produtiva nacional de semicondutores de terceira geração será ainda mais fortalecida, especialmente em Guangdong.

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O próximo formato para a ReTopTech é o substrato de SiC de 8 polegadas. Embora os substratos de SiC de 6 polegadas dominem atualmente o mercado, a tendência de desenvolvimento da indústria está gradualmente migrando para substratos de 8 polegadas devido a considerações de redução de custos. De acordo com as previsões da GTAT, o custo dos substratos de 8 polegadas deverá ser reduzido em 20% a 35% em comparação com os substratos de 6 polegadas. Atualmente, fabricantes renomados de SiC, como Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun e Xilinx Integration, tanto nacionais quanto internacionais, já começaram a transição gradual para substratos de 8 polegadas.

Nesse contexto, a ReTopTech planeja estabelecer um Centro de Pesquisa e Desenvolvimento em Tecnologia de Crescimento e Epitaxia de Cristais de Grande Porte no futuro. A empresa colaborará com importantes laboratórios locais para promover a cooperação no compartilhamento de instrumentos e equipamentos, bem como na pesquisa de materiais. Além disso, a ReTopTech planeja fortalecer a cooperação em inovação na tecnologia de processamento de cristais com os principais fabricantes de equipamentos e desenvolver projetos conjuntos de inovação com empresas líderes do setor de pesquisa e desenvolvimento de dispositivos e módulos automotivos. Essas medidas visam aprimorar o nível de pesquisa e desenvolvimento e a tecnologia de fabricação industrial da China no campo de plataformas de substrato de 8 polegadas.

Os semicondutores de terceira geração, com o SiC como seu principal representante, são universalmente reconhecidos como um dos subcampos mais promissores em toda a indústria de semicondutores. A China possui uma vantagem em toda a cadeia industrial de semicondutores de terceira geração, abrangendo equipamentos, materiais, fabricação e aplicações, com potencial para estabelecer competitividade global.


Data da publicação: 08/04/2024