As vantagens deAtravés do Vidro (TGV)e os processos Through Silicon Via (TSV) sobre TGV são principalmente:
(1) excelentes características elétricas de alta frequência. O vidro é um material isolante, com uma constante dielétrica de apenas cerca de 1/3 da do silício, e um fator de perda de 2 a 3 ordens de magnitude menor que o do silício, o que reduz significativamente as perdas no substrato e os efeitos parasitas, garantindo a integridade do sinal transmitido;
(2)substrato de vidro grande e ultrafinoé fácil de obter. Corning, Asahi, SCHOTT e outros fabricantes de vidro podem fornecer painéis de vidro ultragrandes (>2m × 2m) e ultrafinos (<50µm), além de materiais de vidro flexíveis ultrafinos.
3) Baixo custo. Beneficie-se do fácil acesso a painéis de vidro ultrafinos de grande porte e não requer a deposição de camadas isolantes. O custo de produção da placa adaptadora de vidro é de apenas cerca de 1/8 do custo da placa adaptadora à base de silício;
4) Processo simples. Não há necessidade de depositar uma camada isolante na superfície do substrato e na parede interna do TGV, e não é necessário afinar a placa adaptadora ultrafina;
(5) Forte estabilidade mecânica. Mesmo quando a espessura da placa adaptadora é inferior a 100 µm, a deformação ainda é pequena;
(6) Ampla gama de aplicações, é uma tecnologia emergente de interconexão longitudinal aplicada no campo de encapsulamento em nível de wafer, para atingir a menor distância entre o wafer-wafer, o passo mínimo da interconexão fornece um novo caminho tecnológico, com excelentes propriedades elétricas, térmicas e mecânicas, no chip de RF, sensores MEMS de ponta, integração de sistemas de alta densidade e outras áreas com vantagens exclusivas, é a próxima geração de chips de alta frequência 5G e 6G 3D. É uma das primeiras escolhas para encapsulamento 3D de chips de alta frequência 5G e 6G de próxima geração.
O processo de moldagem do TGV inclui principalmente jateamento de areia, perfuração ultrassônica, gravação úmida, gravação iônica reativa profunda, gravação fotossensível, gravação a laser, gravação de profundidade induzida por laser e formação de furo de descarga de foco.
Resultados recentes de pesquisa e desenvolvimento mostram que a tecnologia permite a preparação de furos passantes e furos cegos 5:1 com uma relação profundidade/largura de 20:1, apresentando boa morfologia. A gravação profunda induzida por laser, que resulta em pequena rugosidade superficial, é o método mais estudado atualmente. Como mostrado na Figura 1, há rachaduras evidentes ao redor da perfuração a laser comum, enquanto as paredes laterais e circundantes da gravação profunda induzida por laser são limpas e lisas.
O processo de processamento deTGVO interposer é mostrado na Figura 2. O esquema geral consiste em perfurar primeiro o substrato de vidro e, em seguida, depositar a camada de barreira e a camada de semente na parede lateral e na superfície. A camada de barreira impede a difusão do Cu para o substrato de vidro, aumentando a adesão entre ambos. Alguns estudos também constataram que a camada de barreira não é necessária. Em seguida, o Cu é depositado por galvanoplastia, recozido e a camada de Cu é removida por CMP. Finalmente, a camada de religação RDL é preparada por litografia de revestimento PVD, e a camada de passivação é formada após a remoção da cola.
(a) Preparação do wafer, (b) formação do TGV, (c) galvanoplastia dupla face – deposição de cobre, (d) recozimento e polimento químico-mecânico CMP, remoção da camada de cobre da superfície, (e) revestimento PVD e litografia, (f) colocação da camada de religação RDL, (g) descolamento e corrosão Cu/Ti, (h) formação da camada de passivação.
Resumindo,vidro através de furo (TGV)As perspectivas de aplicação são amplas e o mercado interno atual está em fase de crescimento, desde equipamentos até design de produtos e pesquisa e desenvolvimento, a taxa de crescimento é superior à média global
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Horário da publicação: 16 de julho de 2024