As vantagens deAtravés do Vidro Via (TGV)e Através do Silício Via(TSV) os processos sobre TGV são principalmente:
(1) excelentes características elétricas de alta frequência. O material de vidro é um material isolante, a constante dielétrica é apenas cerca de 1/3 da do material de silício e o fator de perda é 2-3 ordens de grandeza menor que o do material de silício, o que reduz significativamente a perda do substrato e os efeitos parasitas. e garante a integridade do sinal transmitido;
(2)tamanho grande e substrato de vidro ultrafinoé fácil de obter. Corning, Asahi e SCHOTT e outros fabricantes de vidro podem fornecer painéis de vidro ultragrandes (>2m × 2m) e ultrafinos (<50µm) e materiais de vidro flexíveis ultrafinos.
3) Baixo custo. Beneficie-se do fácil acesso a painéis de vidro ultrafinos de grande porte e não requer a deposição de camadas isolantes, o custo de produção da placa adaptadora de vidro é de apenas cerca de 1/8 da placa adaptadora à base de silício;
4) Processo simples. Não há necessidade de depositar uma camada isolante na superfície do substrato e na parede interna do TGV, e nenhum desbaste é necessário na placa adaptadora ultrafina;
(5) Forte estabilidade mecânica. Mesmo quando a espessura da placa adaptadora é inferior a 100 µm, o empenamento ainda é pequeno;
(6) Ampla gama de aplicações, é uma tecnologia emergente de interconexão longitudinal aplicada no campo de embalagens em nível de wafer, para atingir a distância mais curta entre o wafer-wafer, o passo mínimo da interconexão fornece um novo caminho tecnológico, com excelente eletricidade , propriedades térmicas e mecânicas, no chip RF, sensores MEMS de última geração, integração de sistemas de alta densidade e outras áreas com vantagens exclusivas, é a próxima geração de chip 3D de alta frequência 5G, 6G É uma das primeiras opções para Embalagem 3D de chips de alta frequência 5G e 6G de próxima geração.
O processo de moldagem do TGV inclui principalmente jateamento de areia, perfuração ultrassônica, gravação úmida, gravação de íons reativos profundos, gravação fotossensível, gravação a laser, gravação em profundidade induzida por laser e formação de furo de descarga de foco.
Resultados recentes de pesquisa e desenvolvimento mostram que a tecnologia pode preparar furos passantes e furos cegos 5:1 com uma relação profundidade/largura de 20:1 e ter boa morfologia. O ataque profundo induzido por laser, que resulta em pequena rugosidade superficial, é o método mais estudado atualmente. Conforme mostrado na Figura 1, existem rachaduras óbvias em torno da perfuração a laser comum, enquanto as paredes circundantes e laterais da gravação profunda induzida por laser são limpas e lisas.
O processo de processamento deTGVO interpositor é mostrado na Figura 2. O esquema geral consiste em primeiro fazer furos no substrato de vidro e, em seguida, depositar a camada de barreira e a camada de sementes na parede lateral e na superfície. A camada barreira impede a difusão do Cu para o substrato de vidro, ao mesmo tempo que aumenta a adesão dos dois, claro, em alguns estudos também constatou que a camada barreira não é necessária. Em seguida, o Cu é depositado por galvanoplastia, depois recozido e a camada de Cu é removida por CMP. Finalmente, a camada de religação RDL é preparada por litografia de revestimento PVD, e a camada de passivação é formada após a remoção da cola.
(a) Preparação de wafer, (b) formação de TGV, (c) galvanoplastia dupla face – deposição de cobre, (d) recozimento e polimento químico-mecânico CMP, remoção da camada superficial de cobre, (e) revestimento PVD e litografia , (f) colocação da camada de religação RDL, (g) descolagem e ataque com Cu/Ti, (h) formação da camada de passivação.
Resumindo,vidro através do furo (TGV)as perspectivas de aplicação são amplas e o mercado interno atual está em fase ascendente, desde equipamentos até design de produtos e a taxa de crescimento de pesquisa e desenvolvimento é superior à média global
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Horário da postagem: 16 de julho de 2024