Ao examinar wafers de silício semicondutor ou substratos feitos de outros materiais, frequentemente nos deparamos com indicadores técnicos como: TTV, BOW, WARP e, possivelmente, TIR, STIR, LTV, entre outros. O que esses parâmetros representam?
TTV — Variação Total da Espessura
ARCO — Arco
DOBRA — Dobra
TIR — Leitura Total Indicada
STIR — Leitura Total Indicada do Local
LTV — Variação Local da Espessura
1. Variação Total da Espessura — TTV
A diferença entre a espessura máxima e mínima do wafer em relação ao plano de referência quando o wafer está fixado e em contato próximo. Geralmente é expressa em micrômetros (μm), frequentemente representada como: ≤15 μm.
2. Reverência — ARCO
O desvio entre a distância mínima e máxima do ponto central da superfície do wafer até o plano de referência quando o wafer está em estado livre (sem fixação). Isso inclui casos côncavos (curvatura negativa) e convexos (curvatura positiva). É normalmente expresso em micrômetros (μm), frequentemente representado como: ≤40 μm.
3. Warp — WARP
O desvio entre a distância mínima e máxima da superfície do wafer até o plano de referência (geralmente a superfície posterior do wafer) quando o wafer está em estado livre (sem fixação). Isso inclui casos côncavos (deformação negativa) e convexos (deformação positiva). Geralmente é expresso em micrômetros (μm), frequentemente representado como: ≤30 μm.
4. Leitura Total Indicada — TIR
Quando o wafer é fixado e mantido em contato próximo, utilizando um plano de referência que minimiza a soma das intersecções de todos os pontos dentro da área de qualidade ou de uma região local específica na superfície do wafer, o TIR (Taxa de Intersecção Total) é o desvio entre as distâncias máxima e mínima da superfície do wafer até esse plano de referência.
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Data da publicação: 29/08/2025



