Os wafers de SiC são semicondutores feitos de carboneto de silício. Este material foi desenvolvido em 1893 e é ideal para uma variedade de aplicações. Especialmente adequado para diodos Schottky, diodos Schottky de barreira de junção, interruptores e transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico. Devido à sua alta dureza, é uma excelente opção para componentes eletrônicos de potência.
Atualmente, existem dois tipos principais de wafers de SiC. O primeiro é um wafer polido, que é um único wafer de carboneto de silício. É feito de cristais de SiC de alta pureza e pode ter 100 mm ou 150 mm de diâmetro. É usado em dispositivos eletrônicos de alta potência. O segundo tipo é o wafer de carboneto de silício de cristal epitaxial. Este tipo de wafer é feito adicionando uma única camada de cristais de carboneto de silício à superfície. Este método requer controle preciso da espessura do material e é conhecido como epitaxia tipo N.
O próximo tipo é o carboneto de silício beta. O Beta SiC é produzido em temperaturas acima de 1700 graus Celsius. Os carbonetos alfa são os mais comuns e possuem uma estrutura cristalina hexagonal semelhante à wurtzita. A forma beta é semelhante ao diamante e é usada em algumas aplicações. Sempre foi a primeira escolha para produtos semiacabados para veículos elétricos. Vários fornecedores terceirizados de wafers de carboneto de silício estão atualmente trabalhando neste novo material.
Os wafers ZMSH SiC são materiais semicondutores muito populares. É um material semicondutor de alta qualidade adequado para muitas aplicações. Os wafers de carboneto de silício ZMSH são um material muito útil para uma variedade de dispositivos eletrônicos. A ZMSH fornece uma ampla variedade de wafers e substratos de SiC de alta qualidade. Eles estão disponíveis nas formas tipo N e semi-isoladas.
2---Carbeto de Silício: Rumo a uma nova era de wafers
Propriedades físicas e características do carboneto de silício
O carboneto de silício tem uma estrutura cristalina especial, usando uma estrutura hexagonal compacta semelhante ao diamante. Esta estrutura permite que o carboneto de silício tenha excelente condutividade térmica e resistência a altas temperaturas. Comparado aos materiais de silício tradicionais, o carboneto de silício tem uma largura de banda maior, o que proporciona maior espaçamento de bandas de elétrons, resultando em maior mobilidade de elétrons e menor corrente de fuga. Além disso, o carboneto de silício também possui maior velocidade de deriva de saturação de elétrons e menor resistividade do próprio material, proporcionando melhor desempenho para aplicações de alta potência.
Casos de aplicação e perspectivas de wafers de carboneto de silício
Aplicações em eletrônica de potência
O wafer de carboneto de silício tem ampla perspectiva de aplicação no campo da eletrônica de potência. Devido à sua alta mobilidade eletrônica e excelente condutividade térmica, os wafers SIC podem ser usados para fabricar dispositivos de comutação de alta densidade de potência, como módulos de potência para veículos elétricos e inversores solares. A estabilidade em altas temperaturas dos wafers de carboneto de silício permite que esses dispositivos operem em ambientes de alta temperatura, proporcionando maior eficiência e confiabilidade.
Aplicações optoeletrônicas
No campo dos dispositivos optoeletrônicos, os wafers de carboneto de silício mostram suas vantagens exclusivas. O material de carboneto de silício possui características de amplo intervalo de banda, o que permite atingir alta energia de fótons e baixa perda de luz em dispositivos optoeletrônicos. Wafers de carboneto de silício podem ser usados para preparar dispositivos de comunicação de alta velocidade, fotodetectores e lasers. Sua excelente condutividade térmica e baixa densidade de defeitos cristalinos o tornam ideal para a preparação de dispositivos optoeletrônicos de alta qualidade.
Panorama
Com a crescente demanda por dispositivos eletrônicos de alto desempenho, os wafers de carboneto de silício têm um futuro promissor como material com excelentes propriedades e amplo potencial de aplicação. Com a melhoria contínua da tecnologia de preparação e a redução de custos, será promovida a aplicação comercial de wafers de carboneto de silício. Espera-se que nos próximos anos, os wafers de carboneto de silício entrem gradualmente no mercado e se tornem a escolha principal para aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura.
3 --- Análise aprofundada do mercado de wafer de SiC e tendências tecnológicas
Análise aprofundada dos drivers de mercado de wafer de carboneto de silício (SiC)
O crescimento do mercado de wafer de carboneto de silício (SiC) é influenciado por vários fatores-chave, e uma análise aprofundada do impacto desses fatores no mercado é crítica. Aqui estão alguns dos principais impulsionadores do mercado:
Economia de energia e proteção ambiental: As características de alto desempenho e baixo consumo de energia dos materiais de carboneto de silício os tornam populares no campo da economia de energia e proteção ambiental. A demanda por veículos elétricos, inversores solares e outros dispositivos de conversão de energia está impulsionando o crescimento do mercado de wafers de carboneto de silício, pois ajuda a reduzir o desperdício de energia.
Aplicações em eletrônica de potência: O carboneto de silício é excelente em aplicações de eletrônica de potência e pode ser usado em eletrônica de potência sob alta pressão e ambientes de alta temperatura. Com a popularização das energias renováveis e a promoção da transição de energia elétrica, a demanda por pastilhas de carboneto de silício no mercado de eletrônica de potência continua a aumentar.
SiC wafers análise detalhada da tendência futura de desenvolvimento de tecnologia de fabricação
Produção em massa e redução de custos: A futura fabricação de wafers de SiC se concentrará mais na produção em massa e na redução de custos. Isso inclui técnicas aprimoradas de crescimento, como deposição química de vapor (CVD) e deposição física de vapor (PVD) para aumentar a produtividade e reduzir os custos de produção. Além disso, espera-se que a adoção de processos de produção inteligentes e automatizados melhore ainda mais a eficiência.
Novo tamanho e estrutura do wafer: O tamanho e a estrutura dos wafers de SiC podem mudar no futuro para atender às necessidades de diferentes aplicações. Isso pode incluir wafers de maior diâmetro, estruturas heterogêneas ou wafers multicamadas para fornecer mais flexibilidade de design e opções de desempenho.
Eficiência Energética e Fabricação Verde: A fabricação de wafers de SiC no futuro dará maior ênfase à eficiência energética e à fabricação verde. Fábricas alimentadas por energias renováveis, materiais verdes, reciclagem de resíduos e processos de produção com baixo teor de carbono tornar-se-ão tendências na indústria transformadora.
Horário da postagem: 19 de janeiro de 2024