Substrato de wafer de safira de 12 polegadas com 300 mm de diâmetro e 1,0 mm de espessura, para SSP/DSP de plano C.
Situação do mercado de substratos de safira de 12 polegadas
Atualmente, a safira tem dois usos principais: um é como material de substrato, principalmente para LEDs, e o outro é como material para mostradores de relógios, aviação, aeroespacial e fabricação de janelas especiais.
Embora o carbeto de silício, o silício e o nitreto de gálio também estejam disponíveis como substratos para LEDs, além da safira, a produção em massa ainda não é viável devido ao custo e a alguns gargalos técnicos não resolvidos. O substrato de safira, por meio do desenvolvimento técnico dos últimos anos, teve sua compatibilidade de rede cristalina, condutividade elétrica, propriedades mecânicas, condutividade térmica e outras propriedades significativamente aprimoradas e promovidas, apresentando uma vantagem considerável em termos de custo-benefício. Assim, a safira tornou-se o material de substrato mais maduro e estável na indústria de LEDs, sendo amplamente utilizada no mercado, com uma participação de mercado que chega a 90%.
Característica do substrato de wafer de safira de 12 polegadas
1. As superfícies do substrato de safira apresentam uma contagem de partículas extremamente baixa, com menos de 50 partículas de 0,3 mícron ou maiores por 2 polegadas na faixa de tamanho de 2 a 8 polegadas, e metais principais (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) abaixo de 2E10/cm². Espera-se que o material base de 12 polegadas também atinja esse nível de qualidade.
2. Pode ser usado como wafer de suporte para o processo de fabricação de semicondutores de 12 polegadas (paletes de transporte interno) e como substrato para colagem.
3. Permite controlar a forma de superfícies côncavas e convexas.
Material: Cristal único de Al2O3 de alta pureza, lâmina de safira.
LED de alta qualidade, sem bolhas, rachaduras, defeitos, linhas de junção, cores uniformes, etc.
Wafers de safira de 12 polegadas
| Orientação | Plano C<0001> +/- 1 grau. |
| Diâmetro | 300,0 +/- 0,25 mm |
| Grossura | 1,0 +/-25 µm |
| Entalhe | Entalhe ou plano |
| TTV | <50um |
| ARCO | <50um |
| Bordas | Chanfro protetor |
| Lado frontal – polido 80/50 | |
| Marcação a laser | Nenhum |
| Embalagem | caixa de transporte de wafer único |
| Face frontal epitaxial polida (Ra <0,3nm) | |
| Verso Epi polido (Ra <0,3nm) | |
Diagrama detalhado



