Substrato de wafer de safira de 150 mm (6 polegadas), 0,7 mm, 0,5 mm, para SSP/DSP de plano C

Imagem em destaque de um substrato de wafer de safira de 150 mm (6 polegadas) com espessura de 0,7 mm e 0,5 mm, para SSP/DSP no plano C.

Descrição resumida:

Todas as descrições acima se aplicam corretamente aos cristais de safira. O excelente desempenho do cristal de safira faz com que ele seja amplamente utilizado em áreas tecnológicas de ponta. Com o rápido desenvolvimento da indústria de LEDs, a demanda por materiais de cristal de safira também está aumentando.

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Características

Aplicações

As aplicações para wafers de safira de 6 polegadas incluem:

1. Fabricação de LEDs: o wafer de safira pode ser usado como substrato para chips de LED, e sua dureza e condutividade térmica podem melhorar a estabilidade e a vida útil dos chips de LED.

2. Fabricação de lasers: O wafer de safira também pode ser usado como substrato para lasers, ajudando a melhorar o desempenho e prolongar a vida útil do equipamento.

3. Fabricação de semicondutores: Os wafers de safira são amplamente utilizados na fabricação de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, incluindo síntese óptica, células solares, dispositivos eletrônicos de alta frequência, etc.

4. Outras aplicações: O wafer de safira também pode ser usado para fabricar telas sensíveis ao toque, dispositivos ópticos, células solares de película fina e outros produtos de alta tecnologia.

Especificação

Material	Lâmina de safira monocristalina de Al2O3 de alta pureza.
Dimensão	150 mm +/- 0,05 mm, 6 polegadas
Grossura	1300 +/- 25 µm
Orientação	Plano C (0001) fora do plano M (1-100) 0,2 +/- 0,05 graus
Orientação plana primária	Um plano com +/- 1 grau
Comprimento plano primário	47,5 mm +/- 1 mm
Variação Total da Espessura (TTV)	<20 µm
Arco	<25 µm
Urdidura	<25 µm
Coeficiente de Expansão Térmica	6,66 x 10⁻⁶ / °C paralelo ao eixo C, 5 x 10⁻⁶ /°C perpendicular ao eixo C
Rigidez dielétrica	4,8 x 10⁵ V/cm
Constante dielétrica	11,5 (1 MHz) ao longo do eixo C, 9,3 (1 MHz) perpendicular ao eixo C
Tangente de perda dielétrica (também conhecida como fator de dissipação)	menos de 1 x 10-4
Condutividade térmica	40 W/(mK) a 20℃
Polimento	Polimento de um lado (SSP) ou polimento de ambos os lados (DSP) com Ra < 0,5 nm (por AFM). O lado oposto da pastilha SSP foi retificado finamente até Ra = 0,8 - 1,2 µm.
Transmitância	88% +/-1 % a 460 nm