Wafer de GaN sobre silício com camada epitaxial de 150 mm, 200 mm, 6 polegadas e 8 polegadas.
Método de fabricação
O processo de fabricação envolve o crescimento de camadas de GaN sobre um substrato de safira utilizando técnicas avançadas como a deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD) ou a epitaxia por feixe molecular (MBE). O processo de deposição é realizado sob condições controladas para garantir alta qualidade cristalina e filme uniforme.
Aplicações de GaN-On-Safira de 6 polegadas: Chips com substrato de safira de 6 polegadas são amplamente utilizados em comunicações por micro-ondas, sistemas de radar, tecnologia sem fio e optoeletrônica.
Algumas aplicações comuns incluem
1. Amplificador de potência de RF
2. Indústria de iluminação LED
3. Equipamentos de comunicação de rede sem fio
4. Dispositivos eletrônicos em ambientes de alta temperatura
5. Dispositivos optoeletrônicos
Especificações do produto
- Tamanho: O diâmetro do substrato é de 6 polegadas (aproximadamente 150 mm).
- Qualidade da superfície: A superfície foi finamente polida para proporcionar uma excelente qualidade espelhada.
- Espessura: A espessura da camada de GaN pode ser personalizada de acordo com requisitos específicos.
- Embalagem: O substrato é cuidadosamente embalado com materiais antiestáticos para evitar danos durante o transporte.
- Bordas de posicionamento: O substrato possui bordas de posicionamento específicas que facilitam o alinhamento e a operação durante a preparação do dispositivo.
- Outros parâmetros: Parâmetros específicos, como espessura, resistividade e concentração de dopagem, podem ser ajustados de acordo com as necessidades do cliente.
Graças às suas propriedades de material superiores e diversas aplicações, os wafers de substrato de safira de 6 polegadas são uma escolha confiável para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alto desempenho em vários setores industriais.
| Substrato | 6” 1mm <111> silício tipo p | 6” 1mm <111> silício tipo p |
| Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
| Epi Espesso Uniforme | <2% | <2% |
| Arco | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Rachaduras | <5mm | <5mm |
| BV vertical | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Espessura média | 20-30nm | 20-30nm |
| Tampa de SiN in situ | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilidade | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/sq (<2%) | <330 ohm/sq (<2%) |
Diagrama detalhado
