Substrato de SiC 4H-N de 4 polegadas, wafer de carbeto de silício para produção (dummy) e grau de pesquisa.
Aplicações
Os wafers de substrato monocristalino de carbeto de silício de 4 polegadas desempenham um papel importante em diversas áreas. Primeiramente, são amplamente utilizados na indústria de semicondutores na fabricação de dispositivos eletrônicos de alta potência, como transistores de potência, circuitos integrados e módulos de potência. Sua alta condutividade térmica e resistência a altas temperaturas permitem uma melhor dissipação de calor, proporcionando maior eficiência e confiabilidade. Em segundo lugar, os wafers de carbeto de silício também são utilizados na pesquisa para o desenvolvimento de novos materiais e dispositivos. Além disso, os wafers de carbeto de silício são amplamente utilizados em optoeletrônica, como na fabricação de LEDs e diodos laser.
Especificações do wafer de SiC de 4 polegadas
O substrato de silício monocristalino de 4 polegadas (aproximadamente 101,6 mm) possui um diâmetro de 4 polegadas, acabamento superficial de até Ra < 0,5 nm e espessura de 600 ± 25 μm. A condutividade do substrato é do tipo N ou P e pode ser personalizada de acordo com as necessidades do cliente. Além disso, o chip apresenta excelente estabilidade mecânica, suportando uma certa quantidade de pressão e vibração.
O substrato de carbeto de silício monocristalino de 1 polegada é um material de alto desempenho amplamente utilizado nas áreas de semicondutores, pesquisa e optoeletrônica. Possui excelente condutividade térmica, estabilidade mecânica e resistência a altas temperaturas, sendo adequado para a fabricação de dispositivos eletrônicos de alta potência e para a pesquisa de novos materiais. Oferecemos uma variedade de especificações e opções de personalização para atender às diversas necessidades dos clientes. Visite nosso site para obter mais informações sobre nossos substratos de carbeto de silício.
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Diagrama detalhado
