Substrato de carbeto de silício 4H-N/6H-N para pesquisa e produção, grau fictício, diâmetro 150 mm.

Wafer de SiC 4H-N/6H-N para pesquisa e produção (grau fictício, diâmetro de 150 mm) - Substrato de carbeto de silício - Imagem em destaque

Descrição resumida:

Podemos fornecer substratos de filmes finos supercondutores de alta temperatura, filmes finos magnéticos e substratos de filmes finos ferroelétricos, cristais semicondutores, cristais ópticos e materiais para cristais laser. Também oferecemos serviços de orientação, corte, retificação, polimento e outros processamentos de cristais. Nossos substratos de SiC são provenientes da fábrica Tankeblue, na China.

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Características

Especificação do substrato de carbeto de silício (SiC) de 6 polegadas de diâmetro

Nota	Zero MPD	Produção	Grau de pesquisa	Nota fictícia
Diâmetro	150,0 mm ± 0,25 mm
Grossura	4H-N	350 ± 25 µm
	4H-SI	500 µm ± 25 µm
Orientação do wafer	No eixo: <0001> ±0,5° para 4H-SI Fora do eixo: 4,0° em direção a <1120> ± 0,5° para 4H-N
Apartamento principal	{10-10}±5,0°
Comprimento plano primário	47,5 mm ± 2,5 mm
Exclusão de borda	3 mm
TTV/Arco/Distorção	≤15µm/≤40µm/≤60µm
Densidade de microtubos	≤1cm-2	≤5cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
Resistividade 4H-N 4H-SI	0,015~0,028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
Rugosidade	Polimento Ra ≤1nm CMP Ra≤0,5nm
#Rachaduras causadas por luz de alta intensidade	Nenhum		1 permitido, ≤2mm	Comprimento cumulativo ≤10 mm, comprimento único ≤2 mm
*Placas hexagonais por luz de alta intensidade	Área cumulativa ≤1%		Área cumulativa ≤ 2%	Área cumulativa ≤ 5%
*Áreas politipadas por luz de alta intensidade	Nenhum		Área cumulativa ≤ 2%	Área cumulativa ≤ 5%
*&Arranhões causados por luz de alta intensidade	3 riscos por 1 x diâmetro do wafer (comprimento cumulativo)		5 riscos por 1 x diâmetro do wafer (comprimento cumulativo)	5 riscos por 1 x diâmetro do wafer comprimento cumulativo
Chip de borda	Nenhum		3 permitidos, ≤0,5 mm cada	5 permitidos, ≤1mm cada
Contaminação por luz de alta intensidade	Nenhum

Vendas e Atendimento ao Cliente

Compra de Materiais

O departamento de compras de materiais é responsável por reunir todas as matérias-primas necessárias para a produção do seu produto. A rastreabilidade completa de todos os produtos e materiais, incluindo análises químicas e físicas, está sempre disponível.

Qualidade

Durante e após a fabricação ou usinagem de seus produtos, o departamento de controle de qualidade entra em ação para garantir que todos os materiais e tolerâncias atendam ou excedam suas especificações.

Serviço

Temos orgulho de contar com uma equipe de engenharia de vendas com mais de 5 anos de experiência na indústria de semicondutores. Eles são treinados para responder a perguntas técnicas e fornecer orçamentos ágeis para atender às suas necessidades.

Estamos ao seu lado sempre que tiver um problema e o resolvemos em 10 horas.