Substrato composto de SiC tipo SEMI 4H de 6 polegadas, espessura de 500 μm, TTV ≤ 5 μm, grau MOS.

Descrição resumida:

Com o rápido avanço das comunicações 5G e da tecnologia de radar, o substrato composto de SiC semi-isolante de 6 polegadas tornou-se um material essencial para a fabricação de dispositivos de alta frequência. Comparado aos substratos tradicionais de GaAs, este substrato mantém alta resistividade (>10⁸ Ω·cm) enquanto melhora a condutividade térmica em mais de 5 vezes, resolvendo eficazmente os desafios de dissipação de calor em dispositivos de ondas milimétricas. Os amplificadores de potência presentes em dispositivos do dia a dia, como smartphones 5G e terminais de comunicação via satélite, provavelmente são construídos sobre este substrato. Utilizando nossa tecnologia proprietária de "compensação de dopagem da camada de buffer", reduzimos a densidade de microporos para menos de 0,5/cm² e alcançamos uma perda de micro-ondas ultrabaixa de 0,05 dB/mm.

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Características

Parâmetros técnicos

Unid	Especificação	Unid	Especificação
Diâmetro	150±0,2 mm	Rugosidade frontal (face Si)	Ra≤0,2 nm (5μm×5μm)
Politipo	4H	Lasca na borda, arranhão, rachadura (inspeção visual)	Nenhum
Resistividade	≥1E8 Ω·cm	TTV	≤5 μm
Espessura da camada de transferência	≥0,4 μm	Urdidura	≤35 μm
Vazio (2mm>D>0,5mm)	≤5 unidades/Wafer	Grossura	500±25 μm

Principais características

1. Desempenho excepcional em altas frequências
O substrato composto de SiC semi-isolante de 6 polegadas emprega um design de camada dielétrica graduada, garantindo uma variação da constante dielétrica inferior a 2% na banda Ka (26,5-40 GHz) e melhorando a consistência de fase em 40%. Isso resulta em um aumento de 15% na eficiência e uma redução de 20% no consumo de energia em módulos T/R que utilizam esse substrato.

2. Gestão Térmica Inovadora
Uma estrutura composta exclusiva de "ponte térmica" permite uma condutividade térmica lateral de 400 W/m·K. Em módulos de amplificador de potência (PA) para estações base 5G de 28 GHz, a temperatura de junção aumenta apenas 28 °C após 24 horas de operação contínua — 50 °C a menos do que as soluções convencionais.

3. Qualidade superior do wafer
Por meio de um método otimizado de Transporte Físico de Vapor (PVT), alcançamos uma densidade de deslocamento inferior a 500/cm² e uma Variação Total da Espessura (TTV) inferior a 3 μm.
4. Processamento favorável à manufatura
Nosso processo de recozimento a laser, desenvolvido especificamente para o substrato composto de SiC semi-isolante de 6 polegadas, reduz a densidade de estados de superfície em duas ordens de magnitude antes da epitaxia.

Principais aplicações

1. Componentes principais da estação base 5G
Em arranjos de antenas MIMO massivas, dispositivos GaN HEMT em substratos compostos de SiC semi-isolantes de 6 polegadas atingem potência de saída de 200 W e eficiência superior a 65%. Testes de campo a 3,5 GHz mostraram um aumento de 30% no raio de cobertura.

2. Sistemas de comunicação via satélite
Transceptores de satélite em órbita terrestre baixa (LEO) que utilizam esse substrato apresentam um EIRP 8 dB maior na banda Q (40 GHz), além de uma redução de peso de 40%. Os terminais Starlink da SpaceX já o adotaram para produção em massa.

3. Sistemas de radar militar
Os módulos de transmissão/recepção (T/R) de radar de matriz faseada neste substrato alcançam largura de banda de 6 a 18 GHz e figura de ruído tão baixa quanto 1,2 dB, estendendo o alcance de detecção em 50 km em sistemas de radar de alerta antecipado.

4. Radar automotivo de ondas milimétricas
Os chips de radar automotivo de 79 GHz que utilizam esse substrato melhoram a resolução angular para 0,5°, atendendo aos requisitos de direção autônoma de nível 4.

Oferecemos uma solução completa e personalizada para substratos compostos de SiC semi-isolantes de 6 polegadas. Em termos de personalização dos parâmetros do material, garantimos a regulação precisa da resistividade na faixa de 10⁶ a 10¹⁰ Ω·cm. Especialmente para aplicações militares, oferecemos uma opção de ultra-alta resistência superior a 10⁹ Ω·cm. Disponibilizamos três especificações de espessura simultâneas: 200 μm, 350 μm e 500 μm, com tolerância rigorosamente controlada em ±10 μm, atendendo a diferentes requisitos, desde dispositivos de alta frequência até aplicações de alta potência.

Em termos de processos de tratamento de superfície, oferecemos duas soluções profissionais: o Polimento Químico-Mecânico (CMP) permite alcançar uma planicidade de superfície em nível atômico com Ra < 0,15 nm, atendendo aos requisitos mais exigentes de crescimento epitaxial; a tecnologia de tratamento de superfície pronta para epitaxia, para demandas de produção rápida, proporciona superfícies ultralisas com Sq < 0,3 nm e espessura de óxido residual < 1 nm, simplificando significativamente o processo de pré-tratamento na unidade do cliente.

A XKH oferece soluções personalizadas e abrangentes para substratos compostos de SiC semi-isolantes de 6 polegadas.

1. Personalização dos parâmetros do material
Oferecemos ajuste preciso de resistividade na faixa de 10⁶ a 10¹⁰ Ω·cm, com opções especializadas de resistividade ultra-alta >10⁹ Ω·cm disponíveis para aplicações militares/aeroespaciais.

2. Especificações de Espessura
Três opções de espessura padronizadas:

• 200 μm (otimizado para dispositivos de alta frequência)

• 350 μm (especificação padrão)

• 500 μm (projetado para aplicações de alta potência)
• Todas as variantes mantêm tolerâncias de espessura rigorosas de ±10μm.

3. Tecnologias de Tratamento de Superfície

Polimento Químico Mecânico (CMP): Obtém planicidade de superfície em nível atômico com Ra<0,15nm, atendendo aos rigorosos requisitos de crescimento epitaxial para dispositivos de RF e de potência.

4. Processamento de Superfície Pronto para Epitaxia

• Proporciona superfícies ultralisas com rugosidade Sq < 0,3 nm

• Controla a espessura do óxido nativo para <1nm

• Elimina até 3 etapas de pré-processamento nas instalações do cliente.