Substrato composto de LN sobre Si de 6 a 8 polegadas com espessura de 0,3 a 50 μm (Si/SiC/Safira).
Principais características
O substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas se destaca por suas propriedades de material exclusivas e parâmetros ajustáveis, permitindo ampla aplicabilidade nas indústrias de semicondutores e optoeletrônica:
1. Compatibilidade com wafers grandes: O tamanho de wafer de 6 a 8 polegadas garante integração perfeita com as linhas de fabricação de semicondutores existentes (por exemplo, processos CMOS), reduzindo os custos de produção e possibilitando a produção em massa.
2. Alta qualidade cristalina: Técnicas otimizadas de epitaxia ou ligação garantem baixa densidade de defeitos no filme fino de LN, tornando-o ideal para moduladores ópticos de alto desempenho, filtros de ondas acústicas de superfície (SAW) e outros dispositivos de precisão.
3. Espessura ajustável (0,3–50 μm): Camadas ultrafinas de LN (<1 μm) são adequadas para chips fotônicos integrados, enquanto camadas mais espessas (10–50 μm) suportam dispositivos de RF de alta potência ou sensores piezoelétricos.
4. Múltiplas opções de substrato: Além do Si, o SiC (alta condutividade térmica) ou a safira (alto isolamento) podem ser selecionados como materiais de base para atender às demandas de aplicações de alta frequência, alta temperatura ou alta potência.
5. Estabilidade térmica e mecânica: O substrato de silício oferece suporte mecânico robusto, minimizando deformações ou rachaduras durante o processamento e melhorando o rendimento do dispositivo.
Essas características posicionam o substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas como um material preferencial para tecnologias de ponta, como comunicações 5G, LiDAR e óptica quântica.
Principais aplicações
O substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas é amplamente adotado em indústrias de alta tecnologia devido às suas excepcionais propriedades eletro-ópticas, piezoelétricas e acústicas:
1. Comunicações Ópticas e Fotônica Integrada: Permite moduladores eletro-ópticos de alta velocidade, guias de onda e circuitos integrados fotônicos (PICs), atendendo às demandas de largura de banda de centros de dados e redes de fibra óptica.
Dispositivos de RF 2.5G/6G: O alto coeficiente piezoelétrico do LN o torna ideal para filtros de ondas acústicas de superfície (SAW) e ondas acústicas de volume (BAW), aprimorando o processamento de sinal em estações base 5G e dispositivos móveis.
3. MEMS e Sensores: O efeito piezoelétrico do LN-on-Si facilita a criação de acelerômetros de alta sensibilidade, biossensores e transdutores ultrassônicos para aplicações médicas e industriais.
4. Tecnologias Quânticas: Como um material óptico não linear, os filmes finos de LN são usados em fontes de luz quântica (por exemplo, pares de fótons emaranhados) e chips quânticos integrados.
5. Lasers e Óptica Não Linear: Camadas ultrafinas de LN permitem a geração eficiente de segundo harmônico (SHG) e dispositivos de oscilação paramétrica óptica (OPO) para processamento a laser e análise espectroscópica.
O substrato composto padronizado de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas permite que esses dispositivos sejam fabricados em fábricas de wafers de grande escala, reduzindo significativamente os custos de produção.
Personalização e Serviços
Oferecemos suporte técnico completo e serviços de personalização para o substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas, para atender a diversas necessidades de P&D e produção:
1. Fabricação personalizada: A espessura do filme de LN (0,3–50 μm), a orientação do cristal (corte X/corte Y) e o material do substrato (Si/SiC/safira) podem ser ajustados para otimizar o desempenho do dispositivo.
2. Processamento em nível de wafer: Fornecimento em massa de wafers de 6 e 8 polegadas, incluindo serviços de back-end como corte, polimento e revestimento, garantindo que os substratos estejam prontos para a integração do dispositivo.
3. Consultoria Técnica e Testes: Caracterização de materiais (ex.: XRD, AFM), testes de desempenho eletro-óptico e suporte à simulação de dispositivos para agilizar a validação do projeto.
Nossa missão é estabelecer o substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas como uma solução de material essencial para aplicações optoeletrônicas e de semicondutores, oferecendo suporte completo, desde a pesquisa e desenvolvimento até a produção em massa.
Conclusão
O substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas, com seu grande tamanho de wafer, qualidade superior do material e versatilidade, está impulsionando avanços em comunicações ópticas, RF 5G e tecnologias quânticas. Seja para fabricação em alto volume ou soluções personalizadas, fornecemos substratos confiáveis e serviços complementares para potencializar a inovação tecnológica.










