Substrato composto de LN sobre Si de 6 a 8 polegadas com espessura de 0,3 a 50 μm (Si/SiC/Safira).

Descrição resumida:

O substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas é um material de alto desempenho que integra filmes finos de niobato de lítio (LN) monocristalino com substratos de silício (Si), com espessuras variando de 0,3 μm a 50 μm. Ele foi projetado para a fabricação de dispositivos semicondutores e optoeletrônicos avançados. Utilizando técnicas avançadas de colagem ou crescimento epitaxial, este substrato garante alta qualidade cristalina do filme fino de LN, ao mesmo tempo que aproveita o grande tamanho do wafer (6 a 8 polegadas) do substrato de silício para aumentar a eficiência de produção e a relação custo-benefício.
Em comparação com os materiais de niobato de lítio (LN) convencionais, o substrato composto de LN sobre silício (Si) de 6 a 8 polegadas oferece excelente correspondência térmica e estabilidade mecânica, tornando-o adequado para processamento em larga escala em nível de wafer. Além disso, materiais de base alternativos, como SiC ou safira, podem ser selecionados para atender a requisitos específicos de aplicação, incluindo dispositivos de radiofrequência (RF) de alta frequência, fotônica integrada e sensores MEMS.


Características

Parâmetros técnicos

0,3-50μm LN/LT em isoladores

Camada superior

Diâmetro

6-8 polegadas

Orientação

X, Z, Y-42 etc.

Materiais

LT, LN

Grossura

0,3-50 μm

Substrato (Personalizado)

Material

Si, SiC, Safira, Espinélio, Quartzo

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Principais características

O substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas se destaca por suas propriedades de material exclusivas e parâmetros ajustáveis, permitindo ampla aplicabilidade nas indústrias de semicondutores e optoeletrônica:

1. Compatibilidade com wafers grandes: O tamanho de wafer de 6 a 8 polegadas garante integração perfeita com as linhas de fabricação de semicondutores existentes (por exemplo, processos CMOS), reduzindo os custos de produção e possibilitando a produção em massa.

2. Alta qualidade cristalina: Técnicas otimizadas de epitaxia ou ligação garantem baixa densidade de defeitos no filme fino de LN, tornando-o ideal para moduladores ópticos de alto desempenho, filtros de ondas acústicas de superfície (SAW) e outros dispositivos de precisão.

3. Espessura ajustável (0,3–50 μm): Camadas ultrafinas de LN (<1 μm) são adequadas para chips fotônicos integrados, enquanto camadas mais espessas (10–50 μm) suportam dispositivos de RF de alta potência ou sensores piezoelétricos.

4. Múltiplas opções de substrato: Além do Si, o SiC (alta condutividade térmica) ou a safira (alto isolamento) podem ser selecionados como materiais de base para atender às demandas de aplicações de alta frequência, alta temperatura ou alta potência.

5. Estabilidade térmica e mecânica: O substrato de silício oferece suporte mecânico robusto, minimizando deformações ou rachaduras durante o processamento e melhorando o rendimento do dispositivo.

Essas características posicionam o substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas como um material preferencial para tecnologias de ponta, como comunicações 5G, LiDAR e óptica quântica.

Principais aplicações

O substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas é amplamente adotado em indústrias de alta tecnologia devido às suas excepcionais propriedades eletro-ópticas, piezoelétricas e acústicas:

1. Comunicações Ópticas e Fotônica Integrada: Permite moduladores eletro-ópticos de alta velocidade, guias de onda e circuitos integrados fotônicos (PICs), atendendo às demandas de largura de banda de centros de dados e redes de fibra óptica.

Dispositivos de RF 2.5G/6G: O alto coeficiente piezoelétrico do LN o torna ideal para filtros de ondas acústicas de superfície (SAW) e ondas acústicas de volume (BAW), aprimorando o processamento de sinal em estações base 5G e dispositivos móveis.

3. MEMS e Sensores: O efeito piezoelétrico do LN-on-Si facilita a criação de acelerômetros de alta sensibilidade, biossensores e transdutores ultrassônicos para aplicações médicas e industriais.

4. Tecnologias Quânticas: Como um material óptico não linear, os filmes finos de LN são usados ​​em fontes de luz quântica (por exemplo, pares de fótons emaranhados) e chips quânticos integrados.

5. Lasers e Óptica Não Linear: Camadas ultrafinas de LN permitem a geração eficiente de segundo harmônico (SHG) e dispositivos de oscilação paramétrica óptica (OPO) para processamento a laser e análise espectroscópica.

O substrato composto padronizado de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas permite que esses dispositivos sejam fabricados em fábricas de wafers de grande escala, reduzindo significativamente os custos de produção.

Personalização e Serviços

Oferecemos suporte técnico completo e serviços de personalização para o substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas, para atender a diversas necessidades de P&D e produção:

1. Fabricação personalizada: A espessura do filme de LN (0,3–50 μm), a orientação do cristal (corte X/corte Y) e o material do substrato (Si/SiC/safira) podem ser ajustados para otimizar o desempenho do dispositivo.

2. Processamento em nível de wafer: Fornecimento em massa de wafers de 6 e 8 polegadas, incluindo serviços de back-end como corte, polimento e revestimento, garantindo que os substratos estejam prontos para a integração do dispositivo.

3. Consultoria Técnica e Testes: Caracterização de materiais (ex.: XRD, AFM), testes de desempenho eletro-óptico e suporte à simulação de dispositivos para agilizar a validação do projeto.

Nossa missão é estabelecer o substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas como uma solução de material essencial para aplicações optoeletrônicas e de semicondutores, oferecendo suporte completo, desde a pesquisa e desenvolvimento até a produção em massa.

Conclusão

O substrato composto de LN-on-Si de 6 a 8 polegadas, com seu grande tamanho de wafer, qualidade superior do material e versatilidade, está impulsionando avanços em comunicações ópticas, RF 5G e tecnologias quânticas. Seja para fabricação em alto volume ou soluções personalizadas, fornecemos substratos confiáveis ​​e serviços complementares para potencializar a inovação tecnológica.

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