Substratos de SiC de 3 polegadas (76,2 mm de diâmetro) HPSI Prime Research e Dummy (grau simulado).

Substrato condutor: refere-se à resistividade de um substrato de carbeto de silício de 15 a 30 mΩ-cm. O wafer epitaxial de carbeto de silício cultivado a partir do substrato condutor pode ser posteriormente transformado em dispositivos de potência, amplamente utilizados em veículos de novas energias, sistemas fotovoltaicos, redes inteligentes e transporte ferroviário.

O substrato semi-isolante refere-se ao substrato de carbeto de silício com resistividade superior a 100.000 Ω-cm, utilizado principalmente na fabricação de dispositivos de radiofrequência de micro-ondas de nitreto de gálio, sendo a base do campo da comunicação sem fio.

É um componente básico no campo da comunicação sem fio.

Substratos condutores e semi-isolantes de carbeto de silício são utilizados em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos e de potência, incluindo, entre outros, os seguintes:

Dispositivos semicondutores de alta potência (condutivos): Os substratos de carbeto de silício possuem alta rigidez dielétrica e condutividade térmica, sendo adequados para a produção de transistores e diodos de alta potência, entre outros dispositivos.

Dispositivos eletrônicos de RF (semi-isolados): Os substratos de carboneto de silício possuem alta velocidade de comutação e tolerância à potência, sendo adequados para aplicações como amplificadores de potência de RF, dispositivos de micro-ondas e chaves de alta frequência.

Dispositivos optoeletrônicos (semi-isolados): Os substratos de carbeto de silício possuem uma ampla banda proibida e alta estabilidade térmica, sendo adequados para a fabricação de fotodiodos, células solares, diodos laser e outros dispositivos.

Sensores de temperatura (condutivos): Os substratos de carbeto de silício possuem alta condutividade térmica e estabilidade térmica, sendo adequados para a produção de sensores de alta temperatura e instrumentos de medição de temperatura.

O processo de produção e a aplicação de substratos condutores e semi-isolantes de carbeto de silício apresentam uma ampla gama de campos e potenciais, oferecendo novas possibilidades para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos e de potência.