AlN em FSS NPSS/FSS de 2 polegadas e 4 polegadas, modelo de AlN para área de semicondutores.

AlN sobre FSS NPSS/FSS de 2 polegadas e 4 polegadas - Modelo de AlN para área de semicondutores - Imagem em destaque

Descrição resumida:

Os wafers de AlN sobre substrato flexível (FSS) oferecem uma combinação única da excepcional condutividade térmica, resistência mecânica e propriedades de isolamento elétrico do nitreto de alumínio (AlN), aliada à flexibilidade de um substrato de alto desempenho. Esses wafers de 2 e 4 polegadas são projetados especificamente para aplicações avançadas em semicondutores, especialmente onde o gerenciamento térmico e a flexibilidade do dispositivo são críticos. Com a opção de substrato não polido (NPSS) e substrato flexível (FSS) como base, esses modelos de AlN são ideais para aplicações em eletrônica de potência, dispositivos de radiofrequência (RF) e sistemas eletrônicos flexíveis, onde alta condutividade térmica e integração flexível são essenciais para melhorar o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

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Características

Propriedades

Composição do material:
Nitreto de alumínio (AlN) – Camada cerâmica branca de alto desempenho que proporciona excelente condutividade térmica (tipicamente 200-300 W/m·K), bom isolamento elétrico e alta resistência mecânica.
Substrato Flexível (FSS) – Filmes poliméricos flexíveis (como poliimida, PET, etc.) que oferecem durabilidade e capacidade de curvatura sem comprometer a funcionalidade da camada de AlN.

Tamanhos de wafer disponíveis:
2 polegadas (50,8 mm)
4 polegadas (100 mm)

Grossura:
Camada de AlN: 100-2000 nm
Espessura do substrato FSS: 50µm-500µm (personalizável de acordo com os requisitos)

Opções de acabamento de superfície:
NPSS (Substrato Não Polido) – Superfície de substrato não polida, adequada para determinadas aplicações que exigem perfis de superfície mais rugosos para melhor adesão ou integração.
FSS (Substrato Flexível) – Película flexível polida ou não polida, com opção de superfícies lisas ou texturizadas, dependendo das necessidades específicas da aplicação.

Propriedades elétricas:
Isolante – As propriedades de isolamento elétrico do AlN o tornam ideal para aplicações de semicondutores de alta tensão e potência.
Constante dielétrica: ~9,5
Condutividade térmica: 200-300 W/m·K (dependendo da qualidade e espessura específicas do AlN)

Propriedades mecânicas:
Flexibilidade: O AlN é depositado sobre um substrato flexível (FSS), o que permite curvatura e flexibilidade.
Dureza da superfície: O AlN é altamente durável e resistente a danos físicos em condições normais de operação.

Aplicações

Dispositivos de alta potênciaIdeal para eletrônica de potência que requer alta dissipação térmica, como conversores de energia, amplificadores de RF e módulos de LED de alta potência.

Componentes de RF e Micro-ondasAdequado para componentes como antenas, filtros e ressonadores, onde são necessárias tanto condutividade térmica quanto flexibilidade mecânica.

Eletrônica flexívelIdeal para aplicações em que os dispositivos precisam se adaptar a superfícies não planas ou requerem um design leve e flexível (por exemplo, dispositivos vestíveis, sensores flexíveis).

Embalagem de semicondutoresUtilizado como substrato em embalagens de semicondutores, oferecendo dissipação térmica em aplicações que geram muito calor.

LEDs e OptoeletrônicaPara dispositivos que exigem operação em altas temperaturas com dissipação de calor robusta.

Tabela de parâmetros

Propriedade	Valor ou intervalo
Tamanho do wafer	2 polegadas (50,8 mm), 4 polegadas (100 mm)
Espessura da camada de AlN	100 nm – 2000 nm
Espessura do substrato FSS	50µm – 500µm (personalizável)
Condutividade térmica	200 – 300 W/m·K
Propriedades elétricas	Isolante (Constante dielétrica: ~9,5)
Acabamento da superfície	Polido ou não polido
Tipo de substrato	NPSS (Substrato Não Polido), FSS (Substrato Flexível)
Flexibilidade mecânica	Alta flexibilidade, ideal para eletrônica flexível.
Cor	Branco a quase branco (dependendo do substrato)

Aplicações

●Eletrônica de potência:A combinação de alta condutividade térmica e flexibilidade torna esses wafers perfeitos para dispositivos de potência, como conversores de energia, transistores e reguladores de tensão, que exigem dissipação de calor eficiente.
●Dispositivos de RF/Micro-ondas:Devido às propriedades térmicas superiores e à baixa condutividade elétrica do AlN, esses wafers são usados em componentes de radiofrequência, como amplificadores, osciladores e antenas.
●Eletrônica flexível:A flexibilidade da camada FSS, combinada com a excelente gestão térmica do AlN, torna-a uma escolha ideal para eletrónica e sensores vestíveis.
●Embalagem de semicondutores:Utilizado em embalagens de semicondutores de alto desempenho, onde a dissipação térmica eficaz e a confiabilidade são essenciais.
● Aplicações de LED e optoeletrônica:O nitreto de alumínio é um excelente material para encapsulamento de LEDs e outros dispositivos optoeletrônicos que exigem alta resistência ao calor.

Perguntas e Respostas (Perguntas Frequentes)

P1: Quais são os benefícios de usar AlN em wafers FSS?

A1Os wafers de AlN sobre FSS combinam a alta condutividade térmica e as propriedades de isolamento elétrico do AlN com a flexibilidade mecânica de um substrato polimérico. Isso permite uma melhor dissipação de calor em sistemas eletrônicos flexíveis, mantendo a integridade do dispositivo sob condições de flexão e estiramento.

Q2: Quais tamanhos estão disponíveis para AlN em wafers FSS?

A2Oferecemos2 polegadase4 polegadasTamanhos de wafers. Tamanhos personalizados podem ser discutidos mediante solicitação para atender às suas necessidades específicas de aplicação.

P3: Posso personalizar a espessura da camada de AlN?

A3Sim, oespessura da camada de AlNpode ser personalizado, com faixas típicas de100 nm a 2000 nmdependendo dos requisitos da sua candidatura.