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Substrato de SiC 4H-N de 6 polegadas com 150 mm de diâmetro (graus de produção e teste).

Substrato de SiC 4H-N de 6 polegadas com 150 mm de diâmetro (grau de produção e protótipo). Imagem em destaque.
  • Substrato de SiC 4H-N de 6 polegadas com 150 mm de diâmetro (graus de produção e teste).
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Descrição resumida:

O carbeto de silício (SiC) é um composto binário do grupo IV-IV, o único composto sólido estável do grupo IV da tabela periódica, e um importante material semicondutor. Possui excelentes propriedades térmicas, mecânicas, químicas e elétricas, sendo um dos materiais de alta qualidade utilizados na produção de dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência, além de poder ser usado como substrato para diodos emissores de luz azul baseados em GaN. Atualmente, o carbeto de silício utilizado como substrato é o do tipo 4H, sendo o tipo condutor dividido em semi-isolante (não dopado, dopado) e tipo N.


Características

As principais características dos wafers MOSFET de carbeto de silício de 6 polegadas são as seguintes:

Resistência a alta tensão: O carboneto de silício possui um alto campo elétrico de ruptura, portanto, os wafers MOSFET de carboneto de silício de 6 polegadas têm uma alta capacidade de resistência a tensão, sendo adequados para aplicações de alta tensão.

Alta densidade de corrente: O carboneto de silício possui alta mobilidade eletrônica, o que faz com que os wafers MOSFET de carboneto de silício de 6 polegadas tenham uma densidade de corrente maior, suportando correntes mais elevadas.

Alta frequência de operação: O carboneto de silício possui baixa mobilidade de portadores, o que faz com que os wafers MOSFET de carboneto de silício de 6 polegadas tenham uma alta frequência de operação, sendo adequados para cenários de aplicação de alta frequência.

Boa estabilidade térmica: O carboneto de silício possui alta condutividade térmica, o que faz com que os wafers MOSFET de carboneto de silício de 6 polegadas ainda apresentem bom desempenho em ambientes de alta temperatura.

Os wafers MOSFET de carbeto de silício de 6 polegadas são amplamente utilizados nas seguintes áreas: eletrônica de potência, incluindo transformadores, retificadores, inversores, amplificadores de potência, etc., como inversores solares, carregamento de veículos de nova energia, transporte ferroviário, compressores de ar de alta velocidade em células de combustível, conversores CC-CC (CCDC), acionamento de motores de veículos elétricos e tendências de digitalização no campo de data centers e outras áreas com uma ampla gama de aplicações.

Podemos fornecer substratos de SiC 4H-N de 6 polegadas, além de wafers de diferentes graus de qualidade. Também podemos providenciar personalização de acordo com suas necessidades. Entre em contato conosco!

Diagrama detalhado

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