Substrato de wafer epitaxial de GaAs de alta potência, wafer de arseneto de gálio, laser de potência com comprimento de onda de 905 nm para tratamento médico a laser.
As principais características da folha epitaxial de laser de GaAs incluem:
1. Alta mobilidade eletrônica: O arseneto de gálio possui alta mobilidade eletrônica, o que faz com que os wafers epitaxiais de GaAs para laser tenham boas aplicações em dispositivos de alta frequência e dispositivos eletrônicos de alta velocidade.
2. Luminescência de transição de banda proibida direta: Como um material de banda proibida direta, o arseneto de gálio pode converter eficientemente energia elétrica em energia luminosa em dispositivos optoeletrônicos, tornando-o ideal para a fabricação de lasers.
3. Comprimento de onda: Os lasers GaAs 905 normalmente operam em 905 nm, o que os torna adequados para muitas aplicações, incluindo a biomedicina.
4. Alta eficiência: com alta eficiência de conversão fotoelétrica, pode converter efetivamente energia elétrica em saída de laser.
5. Alta potência de saída: Pode atingir alta potência de saída e é adequado para aplicações que exigem uma fonte de luz forte.
6. Bom desempenho térmico: O material GaAs possui boa condutividade térmica, ajudando a reduzir a temperatura de operação do laser e a melhorar a estabilidade.
7. Ampla capacidade de ajuste: A potência de saída pode ser ajustada alterando a corrente de acionamento para se adaptar a diferentes requisitos de aplicação.
As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais de GaAs fabricados por laser incluem:
1. Comunicação por fibra óptica: A folha epitaxial de laser de GaAs pode ser usada para fabricar lasers em comunicação por fibra óptica, permitindo a transmissão de sinais ópticos em alta velocidade e longa distância.
2. Aplicações industriais: No setor industrial, as folhas epitaxiais de GaAs podem ser utilizadas para medição de distância a laser, marcação a laser e outras aplicações.
3. VCSEL: O laser de emissão de superfície de cavidade vertical (VCSEL) é um importante campo de aplicação da folha epitaxial de laser de GaAs, sendo amplamente utilizado em comunicação óptica, armazenamento óptico e sensoriamento óptico.
4. Infravermelho e campo pontual: A folha epitaxial de laser de GaAs também pode ser usada para fabricar lasers infravermelhos, geradores de ponto e outros dispositivos, desempenhando um papel importante na detecção de infravermelho, exibição de luz e outros campos.
A preparação de folhas epitaxiais de GaAs para laser depende principalmente da tecnologia de crescimento epitaxial, incluindo deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD), epitaxia por feixe molecular (MBE) e outros métodos. Essas técnicas permitem controlar com precisão a espessura, a composição e a estrutura cristalina da camada epitaxial para obter folhas epitaxiais de GaAs de alta qualidade para laser.
A XKH oferece personalização de folhas epitaxiais de GaAs em diferentes estruturas e espessuras, abrangendo uma ampla gama de aplicações em comunicações ópticas, VCSEL, infravermelho e iluminação pontual. Os produtos da XKH são fabricados com equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla rede de fornecedores internacionais, o que permite lidar com flexibilidade com o volume de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como refinamento e subdivisão. Processos de entrega eficientes garantem a entrega no prazo e atendem aos requisitos de qualidade e prazos de entrega dos clientes. Os clientes podem obter suporte técnico completo e serviço pós-venda após o recebimento, garantindo que o produto seja utilizado sem problemas.
Diagrama detalhado
