GaAs

Substrato de wafer epitaxial de GaAs de alta potência, wafer de arseneto de gálio, laser de potência com comprimento de onda de 905 nm para tratamento médico a laser.
Wafer epitaxial de laser GaAs de 4 polegadas e 6 polegadas, VCSEL (laser de emissão de superfície de cavidade vertical), comprimento de onda de 940 nm, junção única.