Wafer de LiNbO₃ de 2 a 8 polegadas, espessura de 0,1 a 0,5 mm, TTV de 3 µm (personalizado).

Wafer de LiNbO₃ de 2 a 8 polegadas, espessura de 0,1 a 0,5 mm, TTV de 3 µm. Imagem personalizada em destaque.

Descrição resumida:

As pastilhas de LiNbO₃ representam o padrão ouro em fotônica integrada e acústica de precisão, oferecendo desempenho incomparável em sistemas optoeletrônicos modernos. Como fabricante líder, aperfeiçoamos a arte de produzir esses substratos projetados por meio de técnicas avançadas de equilíbrio de transporte de vapor, alcançando perfeição cristalina líder do setor com densidades de defeitos abaixo de 50/cm².

As capacidades de produção da XKH abrangem diâmetros de 75 mm a 150 mm, com controle preciso de orientação (corte X/Y/Z ±0,3°) e opções de dopagem especializadas, incluindo elementos de terras raras. A combinação única de propriedades dos wafers de LiNbO₃ – incluindo seu notável coeficiente de difusão (r₃₃) (32 ± 2 pm/V) e ampla transparência do ultravioleta próximo ao infravermelho médio – os torna indispensáveis para circuitos fotônicos de última geração e dispositivos acústicos de alta frequência.

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Características

Parâmetros técnicos

Material	wafers de LiNbO3 de grau óptico
Temperatura de Curie	1142±2,0℃
Ângulo de corte	X/Y/Z etc
Diâmetro/tamanho	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Grossura	0,1 ~ 0,5 mm ou mais
Apartamento principal	16 mm/22 mm/32 mm
TTV	<3µm
Arco	-30
Urdidura	<40µm
Orientação plana	Todos disponíveis
Tipo de superfície	Polido em um lado / Polido em ambos os lados
Lado polido Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Critérios de Borda	R=0,2mm ou Bullnose
dopado opticamente	Fe/Zn/MgO etc. para wafers de LN de grau óptico
Critérios da superfície do wafer	Índice de refração	No=2,2878/Ne=2,2033 a 632 nm de comprimento de onda
	Contaminação,	Nenhum
	Partículas >0,3 µm	<= 30
	Arranhões, lascas	Nenhum
	Defeito	Sem rachaduras nas bordas, arranhões, marcas de serra ou manchas.
Embalagem	Quantidade/Caixa de wafers	25 unidades por caixa

Principais atributos de nossos wafers de LiNbO₃

1. Características de desempenho fotônico

Nossos wafers de LiNbO₃ exibem capacidades extraordinárias de interação luz-matéria, com coeficientes ópticos não lineares que atingem 42 pm/V, possibilitando processos eficientes de conversão de comprimento de onda, essenciais para a fotônica quântica. Os substratos mantêm uma transmissão superior a 72% na faixa de 320 a 5200 nm, com versões especialmente projetadas alcançando perda de propagação inferior a 0,2 dB/cm em comprimentos de onda de telecomunicações.

2. Engenharia de Ondas Acústicas

A estrutura cristalina de nossos wafers de LiNbO₃ suporta velocidades de ondas de superfície superiores a 3800 m/s, permitindo a operação de ressonadores de até 12 GHz. Nossas técnicas proprietárias de polimento produzem dispositivos de ondas acústicas de superfície (SAW) com perdas de inserção inferiores a 1,2 dB, mantendo a estabilidade de temperatura em ±15 ppm/°C.

3. Resiliência Ambiental

Projetados para suportar condições extremas, nossos wafers de LiNbO₃ mantêm a funcionalidade desde temperaturas criogênicas até ambientes operacionais de 500 °C. O material demonstra excepcional resistência à radiação, suportando doses totais de radiação ionizante superiores a 1 Mrad sem degradação significativa de desempenho.

4. Configurações específicas da aplicação

Oferecemos variantes com engenharia de domínio, incluindo:
Estruturas periodicamente polarizadas com períodos de domínio de 5 a 50 μm
Filmes finos cortados por íons para integração híbrida
Versões aprimoradas com metamateriais para aplicações especializadas.

Cenários de implementação para wafers de LiNbO₃

1. Redes Ópticas de Próxima Geração
Os wafers de LiNbO₃ servem como base para transceptores ópticos em escala de terabit, permitindo transmissão coerente de 800 Gbps por meio de designs avançados de moduladores aninhados. Nossos substratos são cada vez mais adotados para implementações de óptica co-embalada em sistemas aceleradores de IA/ML.
Front-ends de RF de 2,6G
A última geração de wafers de LiNbO₃ suporta filtragem de banda ultralarga de até 20 GHz, atendendo às necessidades de espectro dos padrões 6G emergentes. Nossos materiais possibilitam novas arquiteturas de ressonadores acústicos com fatores Q superiores a 2000.
3. Sistemas de Informação Quântica
As lâminas de LiNbO₃ polarizadas com precisão formam a base para fontes de fótons emaranhados com eficiência de geração de pares superior a 90%. Nossos substratos estão possibilitando avanços na computação quântica fotônica e em redes de comunicação seguras.
4. Soluções Avançadas de Sensoriamento
Desde LiDAR automotivo operando em 1550 nm até sensores gravimétricos ultrassensíveis, os wafers de LiNbO₃ fornecem a plataforma de transdução essencial. Nossos materiais permitem resoluções de sensores que chegam ao nível de detecção de moléculas individuais.

Principais vantagens dos wafers de LiNbO₃

1. Desempenho eletro-óptico incomparável
Coeficiente eletro-óptico excepcionalmente alto (r₃₃~30-32 pm/V): Representa a referência do setor para wafers comerciais de niobato de lítio, possibilitando moduladores ópticos de alta velocidade acima de 200 Gbps que superam em muito os limites de desempenho de soluções baseadas em silício ou polímeros.

Perda de inserção ultrabaixa (<0,1 dB/cm): Obtida através de polimento em nanoescala (Ra<0,3 nm) e revestimentos antirreflexo (AR), aumentando significativamente a eficiência energética dos módulos de comunicação óptica.

2. Propriedades piezoelétricas e acústicas superiores
Ideal para dispositivos SAW/BAW de alta frequência: Com velocidades acústicas de 3500 a 3800 m/s, esses wafers suportam projetos de filtros mmWave de 6ª geração (24 a 100 GHz) com perdas de inserção inferiores a 1,0 dB.

Alto coeficiente de acoplamento eletromecânico (K²~0,25%): Aumenta a largura de banda e a seletividade do sinal em componentes front-end de RF, tornando-os adequados para estações base 5G/6G e comunicações via satélite.

3. Transparência de Banda Larga e Efeitos Ópticos Não Lineares
Janela de transmissão óptica ultralarga (350-5000 nm): Abrange o espectro do ultravioleta ao infravermelho médio, possibilitando aplicações como:

Óptica Quântica: Configurações periodicamente polarizadas (PPLN) atingem eficiência superior a 90% na geração de pares de fótons emaranhados.

Sistemas a laser: A oscilação paramétrica óptica (OPO) fornece saída de comprimento de onda ajustável (1-10 μm).

Limiar de dano a laser excepcional (>1 GW/cm²): Atende aos requisitos rigorosos para aplicações de laser de alta potência.

4. Estabilidade Ambiental Extrema
Resistência a altas temperaturas (ponto de Curie: 1140 °C): Mantém desempenho estável em faixas de -200 °C a +500 °C, ideal para:

Eletrônica automotiva (sensores do compartimento do motor)

Naves espaciais (componentes ópticos para o espaço profundo)

Resistência à radiação (>1 Mrad TID): Em conformidade com as normas MIL-STD-883, adequada para eletrônica nuclear e de defesa.

5. Flexibilidade de personalização e integração
Otimização da orientação cristalina e da dopagem:

Wafer cortado nos eixos X/Y/Z (precisão de ±0,3°)

Dopagem com MgO (5 mol%) para maior resistência a danos ópticos

Suporte à integração heterogênea:

Compatível com filme fino de LiNbO₃ sobre isolante (LNOI) para integração híbrida com fotônica de silício (SiPh).

Permite a ligação em nível de wafer para componentes ópticos co-embalados (CPO).

6. Produção escalável e eficiência de custos
Produção em massa de wafers de 6 polegadas (150 mm): Reduz os custos unitários em 30% em comparação com os processos tradicionais de 4 polegadas.

Entrega rápida: Produtos padrão são enviados em 3 semanas; protótipos em pequenos lotes (mínimo de 5 wafers) são entregues em 10 dias.

Serviços XKH

1. Laboratório de Inovação de Materiais
Nossos especialistas em crescimento de cristais colaboram com os clientes para desenvolver formulações de wafers de LiNbO₃ específicas para cada aplicação, incluindo:

Variantes com baixa perda óptica (<0,05dB/cm)

Configurações de gerenciamento de alta potência

Composições tolerantes à radiação

2. Pipeline de Prototipagem Rápida
Do projeto à entrega em 10 dias úteis para:

wafers com orientação personalizada

eletrodos padronizados

Amostras pré-caracterizadas

3. Certificação de Desempenho
Cada remessa de wafers de LiNbO₃ inclui:

Caracterização espectroscópica completa

Verificação da orientação cristalográfica

Certificação de qualidade da superfície

4. Garantia da Cadeia de Suprimentos