Wafer de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 6 polegadas com espessura de 350 μm e orientação plana primária.
Tabela de parâmetros comuns para substratos compósitos de SiC tipo 4H/6H-P
6 Substrato de carboneto de silício (SiC) com diâmetro de polegada Especificação
| Nota | Produção de MPD ZeroGrau (Z) Nota) | Produção padrãoNota (P) Nota) | Nota fictícia (D Nota) | ||
| Diâmetro | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Grossura | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientação do wafer | -Offeixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidade de microtubos | 0 cm-2 | ||||
| Resistividade | p-tipo 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientação plana primária | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Comprimento plano secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientação plana secundária | Face de silicone para cima: 90° no sentido horário. A partir da superfície plana Prime ± 5,0° | ||||
| Exclusão de borda | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arco/Derrapagem | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosidade | Polonês Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Rachaduras nas bordas causadas por luz de alta intensidade. | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤0,1% | |||
| Áreas politipadas por luz de alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤ 3% | |||
| Inclusões Visuais de Carbono | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤3% | |||
| Arranhões na superfície de silício causados por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 1 × diâmetro do wafer | |||
| Lascas de borda de alta intensidade devido à luz intensa | Nenhuma largura ou profundidade permitida ≥0,2 mm. | 5 permitidos, ≤1 mm cada | |||
| Contaminação da superfície de silício por alta intensidade | Nenhum | ||||
| Embalagem | Cassete para múltiplos wafers ou recipiente para um único wafer | ||||
Notas:
※ Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os riscos devem ser verificados na face de Si.
O wafer de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, com seu tamanho de 6 polegadas e espessura de 350 μm, desempenha um papel crucial na produção industrial de eletrônica de potência de alto desempenho. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam ideal para a fabricação de componentes como chaves de potência, diodos e transistores usados em ambientes de alta temperatura, como veículos elétricos, redes elétricas e sistemas de energia renovável. A capacidade do wafer de operar com eficiência em condições extremas garante um desempenho confiável em aplicações industriais que exigem alta densidade de potência e eficiência energética. Além disso, sua orientação plana primária auxilia no alinhamento preciso durante a fabricação do dispositivo, aumentando a eficiência da produção e a consistência do produto.
As vantagens dos substratos compósitos de SiC do tipo N incluem:
- Alta condutividade térmicaAs pastilhas de SiC do tipo P dissipam o calor de forma eficiente, tornando-as ideais para aplicações em altas temperaturas.
- Alta tensão de rupturaCapaz de suportar altas tensões, garantindo confiabilidade em eletrônica de potência e dispositivos de alta tensão.
- Resistência a ambientes hostisExcelente durabilidade em condições extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos.
- Conversão de energia eficienteA dopagem do tipo P facilita o gerenciamento eficiente de energia, tornando o wafer adequado para sistemas de conversão de energia.
- Orientação plana primáriaGarante o alinhamento preciso durante a fabricação, melhorando a exatidão e a consistência do dispositivo.
- Estrutura fina (350 μm)A espessura ideal do wafer permite a integração em dispositivos eletrônicos avançados com restrições de espaço.
De forma geral, o wafer de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, oferece uma série de vantagens que o tornam altamente adequado para aplicações industriais e eletrônicas. Sua alta condutividade térmica e tensão de ruptura permitem uma operação confiável em ambientes de alta temperatura e alta tensão, enquanto sua resistência a condições adversas garante durabilidade. A dopagem tipo P permite uma conversão de energia eficiente, tornando-o ideal para eletrônica de potência e sistemas de energia. Além disso, a orientação plana primária do wafer garante um alinhamento preciso durante o processo de fabricação, aumentando a consistência da produção. Com uma espessura de 350 μm, é ideal para integração em dispositivos compactos avançados.
Diagrama detalhado
