Bandeja de fixação de cerâmica SiC, ventosas de cerâmica, usinagem de precisão, personalizadas
Características do material:
1. Alta dureza: a dureza de Mohs do carboneto de silício é de 9,2 a 9,5, perdendo apenas para o diamante, com forte resistência ao desgaste.
2. Alta condutividade térmica: a condutividade térmica do carbeto de silício chega a 120-200 W/m·K, o que permite dissipar o calor rapidamente e o torna adequado para ambientes de alta temperatura.
3. Baixo coeficiente de expansão térmica: o coeficiente de expansão térmica do carboneto de silício é baixo (4,0-4,5×10⁻⁶/K), podendo ainda manter a estabilidade dimensional em altas temperaturas.
4. Estabilidade química: o carbeto de silício apresenta resistência à corrosão por ácidos e álcalis, sendo adequado para uso em ambientes quimicamente corrosivos.
5. Alta resistência mecânica: o carboneto de silício possui alta resistência à flexão e à compressão, podendo suportar grandes tensões mecânicas.
Características:
1. Na indústria de semicondutores, wafers extremamente finos precisam ser colocados em um copo de sucção a vácuo. A sucção a vácuo é usada para fixar os wafers, e os processos de enceramento, afinamento, enceramento adicional, limpeza e corte são realizados nos wafers.
2. O sugador de carboneto de silício possui boa condutividade térmica, podendo reduzir efetivamente o tempo de enceramento e melhorar a eficiência da produção.
3. O sugador a vácuo de carboneto de silício também possui boa resistência à corrosão por ácidos e álcalis.
4. Comparado com a placa de suporte de coríndon tradicional, reduz o tempo de aquecimento e resfriamento para carga e descarga, melhorando a eficiência do trabalho; ao mesmo tempo, pode reduzir o desgaste entre as placas superior e inferior, manter uma boa precisão plana e prolongar a vida útil em cerca de 40%.
5. A proporção de material é pequena e o peso é leve. Isso facilita o transporte dos paletes pelos operadores, reduzindo em cerca de 20% o risco de danos por colisão causados por dificuldades de transporte.
6. Dimensões: diâmetro máximo de 640 mm; Planicidade: 3 µm ou menos
Área de aplicação:
1. Fabricação de semicondutores
●Processamento de wafers:
Para fixação de wafers em fotolitografia, corrosão, deposição de filmes finos e outros processos, garantindo alta precisão e consistência do processo. Sua alta resistência à temperatura e à corrosão o torna adequado para ambientes severos de fabricação de semicondutores.
●Crescimento epitaxial:
No crescimento epitaxial de SiC ou GaN, o GaN atua como um substrato para aquecer e fixar os wafers, garantindo uniformidade de temperatura e qualidade cristalina em altas temperaturas, melhorando o desempenho do dispositivo.
2. Equipamento fotoelétrico
●Fabricação de LEDs:
Utilizado para fixar substratos de safira ou SiC e como meio de aquecimento no processo MOCVD, para garantir a uniformidade do crescimento epitaxial, melhorar a eficiência luminosa e a qualidade dos LEDs.
●Diodo laser:
Como dispositivo de fixação de alta precisão, ele fixa e aquece o substrato para garantir a estabilidade da temperatura do processo, melhorando a potência de saída e a confiabilidade do diodo laser.
3. Usinagem de precisão
●Processamento de componentes ópticos:
É utilizado para fixar componentes de precisão, como lentes e filtros ópticos, garantindo alta precisão e baixa contaminação durante o processamento, sendo adequado para usinagem de alta intensidade.
●Processamento cerâmico:
Por ser um dispositivo de fixação de alta estabilidade, é adequado para usinagem de precisão de materiais cerâmicos, garantindo precisão e consistência na usinagem em ambientes corrosivos e de alta temperatura.
4. Experimentos científicos
● Experimento de alta temperatura:
Como dispositivo de fixação de amostras em ambientes de alta temperatura, ele suporta experimentos em temperaturas extremas acima de 1600°C para garantir uniformidade de temperatura e estabilidade da amostra.
●Teste de vácuo:
Como dispositivo de fixação e aquecimento de amostras em ambiente de vácuo, garante a precisão e repetibilidade do experimento, sendo adequado para revestimento a vácuo e tratamento térmico.
Especificações técnicas:
| (Propriedade do material) | (Unidade) | (sic) | |
| (Teor de SiC) |
| (Peso)% | >99 |
| (Tamanho médio do grão) |
| mícron | 4-10 |
| (Densidade) |
| kg/dm3 | >3,14 |
| (Porosidade aparente) |
| Vo1% | <0,5 |
| (Dureza Vickers) | HV 0,5 | GPa | 28 |
| *( Resistência à flexão) | 20ºC | MPa | 450 |
| (Resistência à compressão) | 20ºC | MPa | 3900 |
| (Módulo de elasticidade) | 20ºC | GPa | 420 |
| (Tenacidade à fratura) |
| MPa/m'% | 3,5 |
| (Condutividade térmica) | 20°ºC | W/(m*K) | 160 |
| (Resistividade) | 20°ºC | Ohm.cm | 106-108 |
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| a(RT**...80ºC) | K-1*10-6 | 4.3 |
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| oºC | 1700 |
Com anos de experiência técnica e conhecimento do setor, a XKH é capaz de personalizar parâmetros-chave, como tamanho, método de aquecimento e design de adsorção a vácuo do mandril, de acordo com as necessidades específicas do cliente, garantindo que o produto se adapte perfeitamente ao seu processo. Os mandris de cerâmica de carbeto de silício (SiC) tornaram-se componentes indispensáveis no processamento de wafers, crescimento epitaxial e outros processos-chave devido à sua excelente condutividade térmica, estabilidade em altas temperaturas e estabilidade química. Especialmente na fabricação de materiais semicondutores de terceira geração, como SiC e GaN, a demanda por mandris de cerâmica de carbeto de silício continua a crescer. No futuro, com o rápido desenvolvimento do 5G, veículos elétricos, inteligência artificial e outras tecnologias, as perspectivas de aplicação dos mandris de cerâmica de carbeto de silício na indústria de semicondutores serão ainda maiores.
Diagrama detalhado
