Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Imagem em destaque

Descrição resumida:

Oferecemos uma seleção diversificada de wafers de SiC (Carbeto de Silício) de alta qualidade, com foco especial em wafers do tipo N 4H-N e 6H-N, ideais para aplicações em optoeletrônica avançada, dispositivos de potência e ambientes de alta temperatura. Esses wafers do tipo N são conhecidos por sua excepcional condutividade térmica, excelente estabilidade elétrica e notável durabilidade, tornando-os perfeitos para aplicações de alto desempenho, como eletrônica de potência, sistemas de acionamento de veículos elétricos, inversores de energia renovável e fontes de alimentação industriais. Além de nossos wafers do tipo N, também fornecemos wafers de SiC do tipo P 4H/6H-P e 3C para necessidades específicas, incluindo dispositivos de alta frequência e RF, bem como aplicações fotônicas. Nossos wafers estão disponíveis em tamanhos que variam de 2 a 8 polegadas, e oferecemos soluções personalizadas para atender aos requisitos específicos de diversos setores industriais. Para mais detalhes ou dúvidas, entre em contato conosco.

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Características

Propriedades

4H-N e 6H-N (wafers de SiC tipo N)

Aplicativo:Utilizado principalmente em eletrônica de potência, optoeletrônica e aplicações de alta temperatura.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:350 μm ± 25 μm, com espessuras opcionais de 500 μm ± 25 μm.

Resistividade:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grau Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grau P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grau Z), ≤ 1 mΩ·cm (grau P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade de Microtubos (MPD):< 1 unidade/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos os diâmetros.

Urdidura: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para wafers de 8 polegadas).

Exclusão de borda:De 3 mm a 6 mm, dependendo do tipo de wafer.

Embalagem:Cassete com várias pastilhas ou recipiente para uma única pastilha.

Outros tamanhos disponíveis: 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas.

HPSI (Wafers de SiC semi-isolantes de alta pureza)

Aplicativo:Utilizado em dispositivos que exigem alta resistência e desempenho estável, como dispositivos de radiofrequência, aplicações fotônicas e sensores.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:Espessura padrão de 350 μm ± 25 μm, com opções para wafers mais espessos de até 500 μm.

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidade de Microtubos (MPD): ≤ 1 unidade/cm².

Resistividade:Alta resistência, normalmente utilizada em aplicações semi-isolantes.

Urdidura: ≤ 30 μm (para tamanhos menores), ≤ 45 μm para diâmetros maiores.

TTV: ≤ 10 μm.

Outros tamanhos disponíveis: 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas.

4H-P、6H-P&3C wafer de SiC(Wafers de SiC tipo P)

Aplicativo:Principalmente para dispositivos de alta potência e frequência.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:350 μm ± 25 μm ou opções personalizadas.

Resistividade:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grau Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grau P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade de Microtubos (MPD):< 1 unidade/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Exclusão de borda:3 mm a 6 mm.

Urdidura: ≤ 30 μm para tamanhos menores, ≤ 45 μm para tamanhos maiores.

Outros tamanhos disponíveis: 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas.5×5 10×10

Tabela de parâmetros de dados parciais

Propriedade	2 polegadas		3 polegadas		4 polegadas	6 polegadas	8 polegadas
Tipo	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diâmetro	50,8 ± 0,3 mm		76,2±0,3mm		100±0,3mm	150±0,3mm	200 ± 0,3 mm
Grossura	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350±25µm;		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	ou personalizado		ou personalizado		ou personalizado	ou personalizado	ou personalizado
Rugosidade	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Urdidura	≤ 30 µm		≤ 30 µm		≤ 30 µm	≤ 30 µm	≤45um
TTV	≤ 10 µm		≤ 10 µm		≤ 10 µm	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Arranhar/Cavar	CMP/MP
MPD	<1 unidade/cm-2	<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2
Forma	Redondo, Plano 16mm; Comprimento OF 22mm; Comprimento OF 30/32,5mm; Comprimento OF 47,5mm; ENTALHE; ENTALHE;
Bisel	45°, SEMI Spec; Formato C
Nota	Grau de produção para MOS e SBD; Grau de pesquisa; Grau de teste; Grau de wafer semente.
Observações	Diâmetro, espessura, orientação e demais especificações acima podem ser personalizadas mediante solicitação.

Aplicações

·Eletrônica de potência

Os wafers de SiC do tipo N são cruciais em dispositivos eletrônicos de potência devido à sua capacidade de suportar alta tensão e alta corrente. Eles são comumente usados em conversores de potência, inversores e acionadores de motores para indústrias como energia renovável, veículos elétricos e automação industrial.

· Optoeletrônica
Os materiais de SiC do tipo N, especialmente para aplicações optoeletrônicas, são empregados em dispositivos como diodos emissores de luz (LEDs) e diodos laser. Sua alta condutividade térmica e ampla banda proibida os tornam ideais para dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.

·Aplicações em Altas Temperaturas
Os wafers de SiC 4H-N e 6H-N são ideais para ambientes de alta temperatura, como sensores e dispositivos de potência usados em aplicações aeroespaciais, automotivas e industriais, onde a dissipação de calor e a estabilidade em temperaturas elevadas são cruciais.

·Dispositivos de radiofrequência
Os wafers de SiC 4H-N e 6H-N são utilizados em dispositivos de radiofrequência (RF) que operam em faixas de alta frequência. Eles são aplicados em sistemas de comunicação, tecnologia de radar e comunicações via satélite, onde alta eficiência energética e desempenho são necessários.

·Aplicações fotônicas
Na área da fotônica, as lâminas de SiC são utilizadas em dispositivos como fotodetectores e moduladores. As propriedades únicas do material permitem que ele seja eficaz na geração, modulação e detecção de luz em sistemas de comunicação óptica e dispositivos de imagem.

·Sensores
As pastilhas de SiC são utilizadas em diversas aplicações de sensores, principalmente em ambientes agressivos onde outros materiais poderiam falhar. Isso inclui sensores de temperatura, pressão e químicos, essenciais em setores como o automotivo, de petróleo e gás e de monitoramento ambiental.

·Sistemas de acionamento de veículos elétricos
A tecnologia SiC desempenha um papel significativo em veículos elétricos, melhorando a eficiência e o desempenho dos sistemas de propulsão. Com semicondutores de potência SiC, os veículos elétricos podem alcançar maior vida útil da bateria, tempos de carregamento mais rápidos e maior eficiência energética.

·Sensores avançados e conversores fotônicos
Em tecnologias avançadas de sensores, wafers de SiC são usados para criar sensores de alta precisão para aplicações em robótica, dispositivos médicos e monitoramento ambiental. Em conversores fotônicos, as propriedades do SiC são exploradas para permitir a conversão eficiente de energia elétrica em sinais ópticos, o que é vital para telecomunicações e infraestrutura de internet de alta velocidade.

Perguntas e Respostas

QO que é 4H em 4H SiC?
A"4H" em 4H SiC refere-se à estrutura cristalina do carbeto de silício, especificamente uma forma hexagonal com quatro camadas (H). O "H" indica o tipo de politipo hexagonal, distinguindo-o de outros politipos de SiC como 6H ou 3C.

QQual é a condutividade térmica do 4H-SiC?
AA condutividade térmica do 4H-SiC (Carbeto de Silício) é de aproximadamente 490-500 W/m·K à temperatura ambiente. Essa alta condutividade térmica o torna ideal para aplicações em eletrônica de potência e ambientes de alta temperatura, onde a dissipação de calor eficiente é crucial.

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