Substrato de SiC Dia200mm 4H-N e carbeto de silício HPSI

O 4H-N e o HPSI são politipos de carbeto de silício (SiC) com uma estrutura cristalina composta por unidades hexagonais formadas por quatro átomos de carbono e quatro de silício. Essa estrutura confere ao material excelentes características de mobilidade eletrônica e tensão de ruptura. Dentre todos os politipos de SiC, o 4H-N e o HPSI são amplamente utilizados na área de eletrônica de potência devido à sua mobilidade equilibrada de elétrons e lacunas e à sua maior condutividade térmica.

O surgimento de substratos de SiC de 8 polegadas representa um avanço significativo para a indústria de semicondutores de potência. Os materiais semicondutores tradicionais à base de silício sofrem uma queda significativa de desempenho sob condições extremas, como altas temperaturas e altas tensões, enquanto os substratos de SiC conseguem manter seu excelente desempenho. Comparados a substratos menores, os substratos de SiC de 8 polegadas oferecem uma área de processamento maior em uma única peça, o que se traduz em maior eficiência de produção e custos mais baixos, fatores cruciais para impulsionar o processo de comercialização da tecnologia SiC.

A tecnologia de crescimento para substratos de carbeto de silício (SiC) de 8 polegadas exige altíssima precisão e pureza. A qualidade do substrato impacta diretamente o desempenho dos dispositivos subsequentes, portanto, os fabricantes devem empregar tecnologias avançadas para garantir a perfeição cristalina e a baixa densidade de defeitos dos substratos. Isso normalmente envolve processos complexos de deposição química de vapor (CVD) e técnicas precisas de crescimento e corte de cristais. Os substratos de SiC 4H-N e HPSI são particularmente utilizados na área de eletrônica de potência, como em conversores de potência de alta eficiência, inversores de tração para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.

Podemos fornecer substratos de SiC 4H-N de 8 polegadas, além de wafers de diferentes graus de qualidade. Também podemos providenciar personalização de acordo com suas necessidades. Entre em contato conosco!