Substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com espessura de 350 µm. Grau de produção. Grau fictício.
Tabela de parâmetros do substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas
4 polegada de diâmetro SiliconeSubstrato de carboneto (SiC) Especificação
| Nota | Produção de MPD Zero Grau (Z) Nota) | Produção padrão Nota (P) Nota) | Nota fictícia (D Nota) | ||
| Diâmetro | 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||
| Grossura | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientação do wafer | Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEixo n:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidade de microtubos | 0 cm-2 | ||||
| Resistividade | p-tipo 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientação plana primária | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Comprimento plano secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientação plana secundária | A face de silicone para cima: 90° no sentido horário. A partir da superfície plana Prime.±5,0° | ||||
| Exclusão de borda | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arco/Derrapagem | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosidade | Polonês Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Rachaduras nas bordas causadas por luz de alta intensidade. | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤0,1% | |||
| Áreas politipadas por luz de alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤ 3% | |||
| Inclusões Visuais de Carbono | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤3% | |||
| Arranhões na superfície de silício causados por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 1 × diâmetro do wafer | |||
| Lascas de borda de alta intensidade devido à luz intensa | Nenhuma largura ou profundidade permitida ≥0,2 mm. | 5 permitidos, ≤1 mm cada | |||
| Contaminação da superfície de silício por alta intensidade | Nenhum | ||||
| Embalagem | Cassete para múltiplos wafers ou recipiente para um único wafer | ||||
Notas:
※Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os riscos devem ser verificados apenas na face de Si.
O substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com 350 μm de espessura é amplamente utilizado na fabricação de dispositivos eletrônicos e de potência avançados. Com excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e forte resistência a ambientes extremos, este substrato é ideal para eletrônica de potência de alto desempenho, como chaves de alta tensão, inversores e dispositivos de RF. Substratos de grau de produção são usados na fabricação em larga escala, garantindo o desempenho confiável e de alta precisão dos dispositivos, o que é fundamental para eletrônica de potência e aplicações de alta frequência. Substratos de grau de teste, por outro lado, são usados principalmente para calibração de processos, testes de equipamentos e desenvolvimento de protótipos, auxiliando na manutenção do controle de qualidade e da consistência do processo na produção de semicondutores.
Especificação: As vantagens dos substratos compósitos de SiC tipo N incluem
- Alta condutividade térmicaA dissipação de calor eficiente torna o substrato ideal para aplicações de alta temperatura e alta potência.
- Alta tensão de rupturaSuporta operação em alta tensão, garantindo confiabilidade em eletrônica de potência e dispositivos de radiofrequência.
- Resistência a ambientes hostisDurável em condições extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos, garantindo um desempenho de longa duração.
- Precisão de nível de produçãoGarante desempenho confiável e de alta qualidade na fabricação em larga escala, sendo adequado para aplicações avançadas de energia e radiofrequência.
- Nota fictícia para testePermite a calibração precisa do processo, o teste de equipamentos e a prototipagem sem comprometer a qualidade dos wafers de produção.
De forma geral, o substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com 350 μm de espessura oferece vantagens significativas para aplicações eletrônicas de alto desempenho. Sua alta condutividade térmica e tensão de ruptura o tornam ideal para ambientes de alta potência e alta temperatura, enquanto sua resistência a condições extremas garante durabilidade e confiabilidade. O substrato de grau de produção assegura desempenho preciso e consistente na fabricação em larga escala de eletrônicos de potência e dispositivos de RF. Ao mesmo tempo, o substrato de grau de teste é essencial para calibração de processos, testes de equipamentos e prototipagem, auxiliando no controle de qualidade e na consistência na produção de semicondutores. Essas características tornam os substratos de SiC altamente versáteis para aplicações avançadas.
Diagrama detalhado
