SiC
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Wafer de carbeto de silício de 2 polegadas, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes 6H ou 4H.
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Substrato de SiC 4H-N de 4 polegadas, wafer de carbeto de silício para produção (dummy) e grau de pesquisa.
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Wafer de carbeto de silício (SiC) de 6 polegadas (150 mm), tipo 4H-N, para pesquisa e teste de produção de MOS ou SBD.
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Wafer de silício 4H-N condutor de 8 polegadas (200 mm) para pesquisa (modelo fictício).
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Wafer de carbeto de silício de 2 polegadas, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes 6H ou 4H.