Linha de automação de polimento interligado de quatro estágios para wafers de silício/carboneto de silício (SiC) (linha integrada de manuseio pós-polimento)

Descrição resumida:

Esta linha de automação de polimento interligada de quatro estágios é uma solução integrada em linha, projetada parapós-polimento / pós-CMPoperações desilícioecarbeto de silício (SiC)wafers. Construído em torno desuportes cerâmicos (placas cerâmicas)O sistema combina várias tarefas subsequentes em uma linha coordenada, ajudando as fábricas a reduzir o manuseio manual, estabilizar o tempo de ciclo e fortalecer o controle de contaminação.

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Características

Diagrama detalhado

Visão geral

Na fabricação de semicondutores,limpeza pós-CMP eficazé amplamente reconhecido como um passo fundamental para reduzir defeitos antes do próximo processo, e abordagens avançadas (incluindolimpeza megassônica) são frequentemente discutidos para melhorar o desempenho da remoção de partículas.

Para o SiC em particular, seualta dureza e inércia químicaO polimento torna-se um processo desafiador (frequentemente associado a uma baixa taxa de remoção de material e maior risco de danos à superfície/subsuperfície), o que torna a automação pós-polimento estável e a limpeza/manuseio controlados especialmente valiosos.

Principais benefícios

Uma única linha integrada que suporta:

Separação e coleta de wafers(após o polimento)
Armazenamento/tampão de suporte cerâmico
Limpeza de suporte cerâmico
Montagem (colagem) de wafers em suportes cerâmicos
Operação consolidada em uma única linha parawafers de 6 a 8 polegadas

Especificações técnicas (conforme a ficha técnica fornecida)

Dimensões do equipamento (C×L×A):13643 × 5030 × 2300 mm
Fonte de energia:CA 380 V, 50 Hz
Potência Total:119 kW
Limpeza de montagem:0,5 μm < 50 unidades; 5 μm < 1 unidade
Planicidade de montagem:≤ 2 μm

Referência de vazão (da folha de dados fornecida)

Dimensões do equipamento (C×L×A):13643 × 5030 × 2300 mm
Fonte de energia:CA 380 V, 50 Hz
Potência Total:119 kW
Limpeza de montagem:0,5 μm < 50 unidades; 5 μm < 1 unidade
Planicidade de montagem:≤ 2 μm

Fluxo de linha típico

Entrada/interface da área de polimento a montante
Separação e coleta de wafers
Bufferização/armazenamento de portadores cerâmicos (desacoplamento do tempo de ciclo)
Limpeza de suporte cerâmico
Montagem de wafers em suportes (com controle de limpeza e planicidade)
Saída para processo ou logística subsequente

Perguntas frequentes

Q1: Quais problemas essa linha resolve principalmente?
A: O sistema otimiza as operações pós-polimento, integrando a separação/coleta de wafers, o armazenamento em substrato cerâmico, a limpeza do substrato e a montagem de wafers em uma única linha de automação coordenada, reduzindo os pontos de contato manuais e estabilizando o ritmo de produção.

Q2: Quais materiais e tamanhos de wafer são suportados?
UM:Silício e SiC,6–8 polegadaswafers (conforme as especificações fornecidas).

P3: Por que a limpeza pós-CMP é enfatizada na indústria?
A: A literatura da indústria destaca que a demanda por uma limpeza pós-CMP eficaz tem crescido para reduzir a densidade de defeitos antes da próxima etapa; abordagens baseadas em megassônicos são comumente estudadas para melhorar a remoção de partículas.

Sobre nós

A XKH é especializada no desenvolvimento, produção e venda de alta tecnologia de vidros ópticos especiais e novos materiais cristalinos. Nossos produtos atendem aos setores de eletrônica óptica, eletrônicos de consumo e militar. Oferecemos componentes ópticos de safira, lentes para celulares, cerâmica, LT (tecido de baixa temperatura), carbeto de silício (SiC), quartzo e wafers de cristal semicondutor. Com expertise qualificada e equipamentos de ponta, nos destacamos no processamento de produtos não padronizados, com o objetivo de nos tornarmos uma empresa líder em alta tecnologia de materiais optoeletrônicos.