Filme fino de óxido térmico de SiO2 em wafer de silício de 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas.

O principal processo de fabricação de wafers de silício oxidado geralmente inclui as seguintes etapas: crescimento de silício monocristalino, corte em wafers, polimento, limpeza e oxidação.

Crescimento de silício monocristalino: Primeiramente, o silício monocristalino é cultivado em altas temperaturas por métodos como o método Czochralski ou o método da zona flutuante. Este método permite a preparação de monocristais de silício com alta pureza e integridade da rede cristalina.

Corte: O silício monocristalino cultivado geralmente tem formato cilíndrico e precisa ser cortado em lâminas finas para serem usadas como substrato. O corte geralmente é feito com uma máquina de corte diamantada.

Polimento: A superfície do wafer cortado pode ser irregular e requer polimento químico-mecânico para obter uma superfície lisa.

Limpeza: O wafer polido é limpo para remover impurezas e poeira.

Oxidação: Finalmente, as lâminas de silício são colocadas em um forno de alta temperatura para tratamento de oxidação, formando uma camada protetora de dióxido de silício que melhora suas propriedades elétricas e resistência mecânica, além de servir como camada isolante em circuitos integrados.

As principais aplicações de wafers de silício oxidado incluem a fabricação de circuitos integrados, a fabricação de células solares e a fabricação de outros dispositivos eletrônicos. Os wafers de óxido de silício são amplamente utilizados no campo dos materiais semicondutores devido às suas excelentes propriedades mecânicas, estabilidade dimensional e química, capacidade de operar em altas temperaturas e pressões, bem como boas propriedades isolantes e ópticas.

Suas vantagens incluem uma estrutura cristalina completa, composição química pura, dimensões precisas, boas propriedades mecânicas, etc. Essas características tornam os wafers de óxido de silício particularmente adequados para a fabricação de circuitos integrados de alto desempenho e outros dispositivos microeletrônicos.