Substrato
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Wafer de antimoneto de índio (InSb) tipo N, tipo P, pronto para epitaxia, não dopado, dopado com telúrio ou germânio, com espessuras de 2, 3 e 4 polegadas.
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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas
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Lingote de safira de 3, 4 e 6 polegadas, monocristal, zircônia cúbica, método KY, personalizável.
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Substrato de wafer epitaxial de GaAs de alta potência, wafer de arseneto de gálio, laser de potência com comprimento de onda de 905 nm para tratamento médico a laser.
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Wafer epitaxial de laser GaAs de 4 polegadas e 6 polegadas, VCSEL (laser de emissão de superfície de cavidade vertical), comprimento de onda de 940 nm, junção única.
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Substrato de wafer epitaxial InP de 2, 3 e 4 polegadas, detector de luz APD para comunicações de fibra óptica ou LiDAR.
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Anel de safira feito de material de safira sintética. Transparente e personalizável. Dureza Mohs de 9.
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Substrato de carbeto de silício SiC de 2 polegadas, tipo 6H-N, polimento de dupla face de 0,33 mm e 0,43 mm. Alta condutividade térmica e baixo consumo de energia.
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Anel de safira, totalmente feito de safira transparente produzida em laboratório.
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Lingote de safira com 4 polegadas de diâmetro × 80 mm, monocristalino de Al2O3 com pureza de 99,999%.
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Prisma de safira, lente de safira, alta transparência, Al2O3, BK7, JGS1, JGS2, material, instrumento óptico
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Substrato de SiC de 3 polegadas com 350 µm de espessura, tipo HPSI, grau Prime, grau Dummy.