Substrato
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Lingote de carboneto de silício (SiC) de 6 polegadas, tipo N, espessura personalizável (grau padrão/primário).
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Lingote semi-isolante de carboneto de silício 4H-SiC de 6 polegadas, grau fictício.
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Lingote de SiC tipo 4H, diâmetro de 4 polegadas e 6 polegadas, espessura de 5 a 10 mm. Grau de pesquisa/fictício.
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Cristal único de safira Boule de 6 polegadas, Al2O3 99,999%
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Substrato de SiC, wafer de carbeto de silício tipo 4H-N, alta dureza, resistência à corrosão, polimento de primeira qualidade.
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Wafer de carbeto de silício de 2 polegadas, tipo 6H-N, grau primário, grau de pesquisa, grau fictício, espessura de 330 μm a 430 μm.
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Substrato de carbeto de silício de 2 polegadas, 6H-N, polido em ambos os lados, diâmetro de 50,8 mm, grau de produção, grau de pesquisa
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Substrato SiC tipo p 4H/6H-P 3C-N 4 polegadas 〈111〉± 0,5° Zero MPD
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Substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com espessura de 350 µm. Grau de produção. Grau fictício.
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Wafer de SiC 4H/6H-P de 6 polegadas, grau MPD zero, grau de produção, grau fictício.
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Wafer de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 6 polegadas com espessura de 350 μm e orientação plana primária.
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Processo TVG em wafer de quartzo-safira BF33. Perfuração de wafer de vidro.