Wafer epitaxial de nitreto de gálio com camada epitaxial de GaN sobre safira de 100 mm (4 polegadas)

(1) Cozimento em alta temperatura, o substrato de safira é primeiro aquecido a 1050℃ em uma atmosfera de hidrogênio, o objetivo é limpar a superfície do substrato;

(2) Quando a temperatura do substrato cai para 510℃, uma camada tampão de GaN/AlN de baixa temperatura com uma espessura de 30nm é depositada na superfície do substrato de safira;

(3) Elevação da temperatura para 10 ℃, o gás de reação amônia, trimetilgálio e silano são injetados, controlando-se respectivamente a taxa de fluxo correspondente, e o GaN tipo N dopado com silício de 4um de espessura é cultivado;

(4) O gás de reação de trimetilalumínio e trimetilgálio foi usado para preparar continentes A⒑ do tipo N dopados com silício com uma espessura de 0,15um;

(5) O InGaN dopado com Zn de 50 nm foi preparado pela injeção de trimetilgálio, trimetilíndio, dietilzinco e amônia a uma temperatura de 800℃ e controlando diferentes taxas de fluxo respectivamente;

(6) A temperatura foi aumentada para 1020℃, trimetilalumínio, trimetilgálio e bis(ciclopentadienil)magnésio foram injetados para preparar AlGaN tipo P dopado com 0,15um Mg e glicose sanguínea tipo P dopado com 0,5um Mg;

(7) O filme Sibuyan de GaN tipo P de alta qualidade foi obtido por recozimento em atmosfera de nitrogênio a 700℃;

(8) Gravação na superfície de estase G do tipo P para revelar a superfície de estase G do tipo N;

(9) Evaporação de placas de contato Ni/Au na superfície p-GaNI, evaporação de placas de contato △/Al na superfície ll-GaN para formar eletrodos.