100mm 4 polegadas GaN em wafer de camada Epi de safira Wafer epitaxial de nitreto de gálio

(1) Cozimento em alta temperatura, o substrato de safira é primeiro aquecido a 1050 ℃ em uma atmosfera de hidrogênio, o objetivo é limpar a superfície do substrato;

(2) Quando a temperatura do substrato cai para 510 ℃, uma camada tampão GaN/AlN de baixa temperatura com uma espessura de 30 nm é depositada na superfície do substrato de safira;

(3) Aumento da temperatura para 10 ℃, o gás de reação amônia, trimetilgálio e silano são injetados, controlando respectivamente a taxa de fluxo correspondente, e o GaN do tipo N dopado com silício de 4um de espessura é cultivado;

(4) O gás de reação de trimetil alumínio e trimetil gálio foi usado para preparar continentes N tipo A⒑ dopados com silício com espessura de 0,15um;

(5) InGaN dopado com Zn 50 nm foi preparado injetando trimetilgálio, trimetilíndio, dietilzinco e amônia a uma temperatura de 8O0 ℃ e controlando diferentes taxas de fluxo, respectivamente;

(6) A temperatura foi aumentada para 1020 ℃, trimetilalumínio, trimetilgálio e bis (ciclopentadienil) magnésio foram injetados para preparar AlGaN tipo P dopado com 0,15um Mg e glicose sanguínea tipo G dopada com 0,5um Mg;

(7) O filme GaN Sibuyan tipo P de alta qualidade foi obtido por recozimento em atmosfera de nitrogênio a 700 ℃;

(8) Gravura na superfície de estase G tipo P para revelar a superfície de estase G tipo N;

(9) Evaporação de placas de contato Ni/Au na superfície p-GaNI, evaporação de placas de contato △/Al na superfície ll-GaN para formar eletrodos.