GaN de 200 mm e 8 polegadas em substrato de wafer de camada Epi de safira

GaN de 200 mm e 8 polegadas em substrato de wafer de epi-camada de safira Imagem em destaque

Pequena descrição:

O processo de fabricação envolve o crescimento epitaxial de uma camada de GaN em um substrato de safira usando técnicas avançadas, como deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) ou epitaxia por feixe molecular (MBE).A deposição é realizada sob condições controladas para garantir alta qualidade cristalina e uniformidade do filme.

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Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Introdução do produto

O substrato GaN-on-Sapphire de 8 polegadas é um material semicondutor de alta qualidade composto por uma camada de nitreto de gálio (GaN) cultivada em um substrato de safira.Este material oferece excelentes propriedades de transporte eletrônico e é ideal para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.

Método de fabricação

Formulários

O substrato GaN-on-Sapphire de 8 polegadas encontra amplas aplicações em vários campos, incluindo comunicações por microondas, sistemas de radar, tecnologia sem fio e optoeletrônica.Algumas das aplicações comuns incluem:

1. Amplificadores de potência RF

2. Indústria de iluminação LED

3. Dispositivos de comunicação de rede sem fio

4. Dispositivos eletrônicos para ambientes de alta temperatura

5. Odispositivos ptoeletrônicos

especificações do produto

-Dimensão: O tamanho do substrato é de 8 polegadas (200 mm) de diâmetro.

- Qualidade da superfície: A superfície é polida com um alto grau de suavidade e apresenta excelente qualidade espelhada.

- Espessura: A espessura da camada GaN pode ser personalizada com base em requisitos específicos.

- Embalagem: O substrato é cuidadosamente embalado em materiais antiestáticos para evitar danos durante o transporte.

- Orientação Plana: O substrato possui uma orientação plana específica para auxiliar no alinhamento e manuseio do wafer durante os processos de fabricação do dispositivo.

- Outros parâmetros: As especificações de espessura, resistividade e concentração de dopantes podem ser adaptadas de acordo com as necessidades do cliente.

Com suas propriedades de material superiores e aplicações versáteis, o substrato GaN-on-Sapphire de 8 polegadas é uma escolha confiável para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alto desempenho em vários setores.

Exceto GaN-On-Sapphire, também podemos oferecer no campo de aplicações de dispositivos de energia, a família de produtos inclui wafers epitaxiais AlGaN/GaN-on-Si de 8 polegadas e wafers epitaxiais AlGaN/GaN-on-Si de 8 polegadas P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaxiais bolachas.Ao mesmo tempo, inovamos na aplicação de sua própria tecnologia avançada de epitaxia GaN de 8 polegadas no campo de micro-ondas e desenvolvemos um wafer de epitaxia AlGaN/GAN-on-HR Si de 8 polegadas que combina alto desempenho com tamanho grande e baixo custo e compatível com processamento de dispositivos padrão de 8 polegadas.Além do nitreto de gálio à base de silício, também temos uma linha de produtos de wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-on-SiC para atender às necessidades dos clientes de materiais epitaxiais de nitreto de gálio à base de silício.