Modelo de AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS Modelo de AlN em safira

Descrição resumida:

AlN-sobre-Safira refere-se a uma combinação de materiais na qual filmes de nitreto de alumínio são depositados sobre substratos de safira. Nessa estrutura, filmes de nitreto de alumínio de alta qualidade podem ser depositados por deposição química de vapor (CVD) ou deposição química de vapor organometálica (MOCVD), o que resulta em uma boa combinação entre o filme de nitreto de alumínio e o substrato de safira. As vantagens dessa estrutura são a alta condutividade térmica, a alta estabilidade química e as excelentes propriedades ópticas do nitreto de alumínio, enquanto o substrato de safira apresenta excelentes propriedades mecânicas e térmicas, além de transparência.

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Características

AlN sobre Safira

O AlN-sobre-safira pode ser usado para fabricar uma variedade de dispositivos fotoelétricos, tais como:
1. Chips de LED: Os chips de LED são geralmente feitos de filmes de nitreto de alumínio e outros materiais. A eficiência e a estabilidade dos LEDs podem ser melhoradas utilizando wafers de AlN sobre safira como substrato dos chips de LED.
2. Lasers: Os wafers de AlN sobre safira também podem ser usados como substratos para lasers, que são comumente utilizados em aplicações médicas, de comunicação e de processamento de materiais.
3. Células solares: A fabricação de células solares requer o uso de materiais como o nitreto de alumínio. O AlN sobre safira como substrato pode melhorar a eficiência e a vida útil das células solares.
4. Outros dispositivos optoeletrônicos: wafers de AlN sobre safira também podem ser usados para fabricar fotodetectores, dispositivos optoeletrônicos e outros dispositivos optoeletrônicos.

Em conclusão, os wafers de AlN sobre safira são amplamente utilizados na área optoeletrônica devido à sua alta condutividade térmica, alta estabilidade química, baixa perda e excelentes propriedades ópticas.

Modelo de AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS

Item	Observações
Descrição	Modelo AlN-on-NPSS	Modelo AlN-on-FSS
Diâmetro do wafer	50,8 mm, 100 mm
Substrato	NPSS do plano c	Safira planar de plano c (FSS)
Espessura do substrato	50,8 mm, 100 mm c-plane Sapphire Planar (FSS) 100 mm: 650 µm
Espessura da camada epidérmica AIN	3~4 µm (alvo: 3,3 µm)
Condutividade	Isolante
Superfície	À medida que crescia
	RMS<1nm	RMS<2nm
Parte traseira	Moído
FWHM(002)XRC	< 150 segundos de arco	< 150 segundos de arco
FWHM(102)XRC	< 300 segundos de arco	< 300 segundos de arco
Exclusão de borda	< 2 mm	< 3 mm
Orientação plana primária	plano-a+0,1°
Comprimento plano primário	50,8 mm: 16 +/- 1 mm 100 mm: 30 +/- 1 mm
Pacote	Embalado em caixa de transporte ou recipiente individual para wafers