Substrato de recuperação fictício de wafer de silício de 8 polegadas tipo P/N (100) 1-100Ω

Imagem em destaque de substrato de recuperação fictício de wafer de silício tipo P/N de 8 polegadas (100) de 1-100Ω

Descrição curta:

Amplo estoque de wafers polidos de dupla face, todos com diâmetros de 50 a 400 mm. Caso sua especificação não esteja disponível em nosso estoque, estabelecemos relacionamentos de longo prazo com diversos fornecedores que podem fabricar wafers personalizados para atender a qualquer especificação específica. Os wafers polidos de dupla face podem ser usados para silício, vidro e outros materiais comumente utilizados na indústria de semicondutores.

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Características

Introdução da caixa de wafer

O wafer de silício de 8 polegadas é um material de substrato de silício comumente utilizado e amplamente utilizado no processo de fabricação de circuitos integrados. Esses wafers de silício são comumente usados para fabricar diversos tipos de circuitos integrados, incluindo microprocessadores, chips de memória, sensores e outros dispositivos eletrônicos. São comumente usados para fabricar chips de tamanhos relativamente grandes, com vantagens como maior área de superfície e a capacidade de fabricar mais chips em um único wafer de silício, o que leva a uma maior eficiência de produção. O wafer de silício de 8 polegadas também possui boas propriedades mecânicas e químicas, sendo adequado para a produção de circuitos integrados em larga escala.

Características do produto

8" tipo P/N, wafer de silício polido (25 unidades)

Orientação: 200

Resistividade: 0,1 - 40 ohm•cm (Pode variar de lote para lote)

Espessura: 725+/-20um

Nota principal/monitor/teste

PROPRIEDADES DO MATERIAIS

Parâmetro	Característica
Tipo/Dopante	P, Boro N, Fósforo N, Antimônio N, Arsênio
Orientações	<100>, <111> orientações de corte conforme especificações do cliente
Conteúdo de oxigênio	10¹⁹ppmA Tolerâncias personalizadas conforme especificação do cliente
Conteúdo de carbono	< 0,6 ppmA

PROPRIEDADES MECÂNICAS

Parâmetro	Melhor	Monitor/Teste A	Teste
Diâmetro	200±0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Grossura	725±20µm (padrão)	725±25µm (padrão) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (padrão)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Arco	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Enrolar	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Arredondamento de arestas	SEMI-STD
Marcação	Somente SEMI-plano primário, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch

Parâmetro	Melhor	Monitor/Teste A	Teste
Critérios da Parte Frontal
Condição da superfície	Polimento Químico Mecânico	Polimento Químico Mecânico	Polimento Químico Mecânico
Rugosidade da superfície	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Contaminação Partículas a >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Névoa, Poços Casca de laranja	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Serra, Marcas Estrias	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Critérios do verso
Rachaduras, pés de galinha, marcas de serra, manchas	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Condição da superfície	Cáustico gravado