Substrato de recuperação simulado de 8 polegadas tipo P/N (100) 1-100Ω

Pequena descrição:

Grande estoque de wafers polidos de dupla face, todos wafers de 50 a 400 mm de diâmetro. Se sua especificação não estiver disponível em nosso estoque, estabelecemos relacionamentos de longo prazo com muitos fornecedores que são capazes de fabricar wafers personalizados para atender a qualquer especificação exclusiva.Wafers polidos de dupla face podem ser usados para silício, vidro e outros materiais comumente usados na indústria de semicondutores.

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Detalhes do produto

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Introdução da caixa de wafer

O wafer de silício de 8 polegadas é um material de substrato de silício comumente usado e amplamente utilizado no processo de fabricação de circuitos integrados.Tais wafers de silício são comumente usados para fazer vários tipos de circuitos integrados, incluindo microprocessadores, chips de memória, sensores e outros dispositivos eletrônicos.Os wafers de silício de 8 polegadas são comumente usados para fabricar chips de tamanhos relativamente grandes, com vantagens que incluem uma área de superfície maior e a capacidade de produzir mais chips em um único wafer de silício, levando ao aumento da eficiência da produção.O wafer de silício de 8 polegadas também possui boas propriedades mecânicas e químicas, o que é adequado para a produção de circuitos integrados em larga escala.

Características do produto

8" tipo P/N, wafer de silício polido (25 unidades)

Orientação: 200

Resistividade: 0,1 - 40 ohm•cm (pode variar de lote para lote)

Espessura: 725+/-20um

Nota principal/monitor/teste

PROPRIEDADES MATERIAIS

Parâmetro	Característica
Tipo/Dopante	P, Boro N, Fósforo N, Antimônio N, Arsênico
Orientações	<100>, <111> separe as orientações de acordo com as especificações do cliente
Conteúdo de oxigênio	10¹⁹ppmA Tolerâncias personalizadas de acordo com a especificação do cliente
Conteúdo de carbono	< 0,6 ppmA

PROPRIEDADES MECÂNICAS

Parâmetro	Melhor	Monitorar/Teste A	Teste
Diâmetro	200±0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200±0,5mm
Grossura	725±20µm (padrão)	725±25µm(padrão) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (padrão)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Arco	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Enrolar	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Arredondamento de borda	SEMI-STD
Marcação	Primário SEMI-Flat apenas, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch

Parâmetro	Melhor	Monitorar/Teste A	Teste
Critérios frontais
Condição da superfície	Químico Mecânico Polido	Químico Mecânico Polido	Químico Mecânico Polido
Rigidez da superfície	< 2°C	< 2°C	< 2°C
Contaminação Partículas @ >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Neblina, Poços casca de laranja	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Serra, marcas Estrias	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Critérios do verso
Rachaduras, pés de galinha, marcas de serra, manchas	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Condição da superfície	Gravado cáustico