Substrato de wafer de safira de 12 polegadas Dia300x1.0mmt C-Plane SSP/DSP
Situação do mercado de substrato de safira de 12 polegadas
Atualmente, a safira tem dois usos principais, um é o material do substrato, que é principalmente material do substrato de LED, o outro é o mostrador do relógio, aviação, aeroespacial, material especial para janelas de fabricação.
Embora o carboneto de silício, o silício e o nitreto de gálio também estejam disponíveis como substratos para LEDs, além da safira, a produção em massa ainda não é possível devido ao custo e a alguns gargalos técnicos não resolvidos. Substrato de safira através do desenvolvimento técnico nos últimos anos, sua correspondência de rede, condutividade elétrica, propriedades mecânicas, condutividade térmica e outras propriedades foram muito melhoradas e promovidas, a vantagem econômica é significativa, então a safira se tornou o material de substrato mais maduro e estável na indústria de LED, tem sido amplamente utilizada no mercado, a participação de mercado chega a 90%.
Característica do substrato de wafer de safira de 12 polegadas
1. As superfícies do substrato de safira têm uma contagem de partículas extremamente baixa, com menos de 50 partículas de 0,3 mícron ou maiores por 2 polegadas na faixa de tamanho de 2 a 8 polegadas e metais importantes (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) abaixo de 2E10/cm2. Espera-se também que o material base de 12 polegadas atinja esse grau.
2. Pode ser usado como wafer transportador para o processo de fabricação de semicondutores de 12 polegadas (paletes de transporte no dispositivo) e como substrato para colagem.
3. Pode controlar a forma da superfície côncava e convexa.
Material: Cristal único Al2O3 de alta pureza, wafer de safira.
Qualidade LED, sem bolhas, rachaduras, gêmeos, linhagem, sem cor..etc.
Bolachas de safira de 12 polegadas
Orientação | Plano C<0001> +/- 1 grau. |
Diâmetro | 300,0 +/-0,25mm |
Grossura | 1,0 +/-25um |
Entalhe | Entalhe ou plano |
TTV | <50um |
ARCO | <50um |
Bordas | Chanfro protativo |
Parte frontal – polida 80/50 | |
Marca laser | Nenhum |
Embalagem | Caixa transportadora de wafer única |
Parte frontal Epi pronto polido (Ra <0,3nm) | |
Verso Epi pronto polido (Ra <0,3nm) |