Substrato de wafer de safira de 12 polegadas de diâmetro 300x1,0 mm C-Plane SSP/DSP
Situação do mercado de substrato de safira de 12 polegadas
Atualmente, a safira tem dois usos principais: um é o material de substrato, que é principalmente material de substrato de LED, o outro é o mostrador de relógio, aviação, aeroespacial, material de janela de fabricação especial.
Embora carboneto de silício, silício e nitreto de gálio também estejam disponíveis como substratos para LEDs, além da safira, a produção em massa ainda não é possível devido ao custo e a alguns gargalos técnicos não resolvidos. O substrato de safira, através do desenvolvimento técnico nos últimos anos, tem sua compatibilidade de rede, condutividade elétrica, propriedades mecânicas, condutividade térmica e outras propriedades significativamente aprimoradas e promovidas. A vantagem econômica é significativa, tornando a safira o material de substrato mais maduro e estável na indústria de LEDs, amplamente utilizado no mercado, com uma participação de mercado de até 90%.
Características do substrato de wafer de safira de 12 polegadas
1. As superfícies do substrato de safira apresentam uma contagem de partículas extremamente baixa, com menos de 50 partículas de 0,3 mícron ou maiores por 5 cm na faixa de 5 a 20 cm, e metais principais (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) abaixo de 2E10/cm². Espera-se que o material base de 30 cm também atinja essa classificação.
2. Pode ser usado como um wafer transportador para o processo de fabricação de semicondutores de 12 polegadas (paletes de transporte no dispositivo) e como substrato para colagem.
3. Pode controlar o formato da superfície côncava e convexa.
Material: Al2O3 monocristal de alta pureza, pastilha de safira.
Qualidade de LED, sem bolhas, rachaduras, gêmeos, linhagem, sem cor, etc.
Wafers de safira de 12 polegadas
Orientação | Plano C<0001> +/- 1 grau. |
Diâmetro | 300,0 +/-0,25 mm |
Grossura | 1,0 +/-25um |
Entalhe | Entalhe ou Plano |
TTV | <50um |
ARCO | <50um |
Bordas | Chanfro protativo |
Parte frontal – polida 80/50 | |
Marca a laser | Nenhum |
Embalagem | Caixa transportadora de wafer simples |
Parte frontal preparada para Epi polido (Ra <0,3 nm) | |
Verso polido pronto para Epi (Ra <0,3 nm) |
Diagrama Detalhado

