Wafer de safira de 156 mm e 159 mm (6 polegadas) para DSP TTV de plano C de suporte
Especificação
| Item | Wafer de safira de 6 polegadas com plano C (0001) | |
| Materiais cristalinos | Al2O3 monocristalino de alta pureza (99,999%). | |
| Nota | Prime, pronto para Epi | |
| Orientação da superfície | Plano C(0001) | |
| Ângulo de inclinação do plano C em relação ao eixo M: 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diâmetro | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Grossura | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientação plana primária | Plano C (00-01) +/- 0,2° | |
| Polido em um lado | Superfície frontal | Polido epitaxialmente, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
| (SSP) | Superfície posterior | Moagem fina, Ra = 0,8 μm a 1,2 μm |
| Polido em ambos os lados | Superfície frontal | Polido epitaxialmente, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
| (DSP) | Superfície posterior | Polido epitaxialmente, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| ARCO | < 20 μm | |
| URDIDURA | < 20 μm | |
| Limpeza/Embalagem | Limpeza de salas limpas classe 100 e embalagem a vácuo. | |
| 25 unidades em uma embalagem tipo cassete ou embalagem individual. | ||
O método Kylopoulos (método KY) é atualmente utilizado por muitas empresas na China para produzir cristais de safira para uso nas indústrias eletrônica e óptica.
Nesse processo, óxido de alumínio de alta pureza é fundido em um cadinho a temperaturas acima de 2100 graus Celsius. Normalmente, o cadinho é feito de tungstênio ou molibdênio. Um cristal semente precisamente orientado é imerso na alumina fundida. O cristal semente é lentamente puxado para cima e pode ser girado simultaneamente. Controlando-se com precisão o gradiente de temperatura, a velocidade de puxada e a taxa de resfriamento, um grande lingote monocristalino, quase cilíndrico, pode ser produzido a partir da fusão.
Após o crescimento dos lingotes de safira monocristalina, eles são perfurados até se transformarem em hastes cilíndricas, que são então cortadas na espessura desejada para a janela e, finalmente, polidas até obter o acabamento superficial desejado.
Diagrama detalhado





