Substrato de carbeto de silício SiC de 2 polegadas, tipo 6H-N, polimento de dupla face de 0,33 mm e 0,43 mm. Alta condutividade térmica e baixo consumo de energia.
A seguir, as características de um wafer de carbeto de silício de 2 polegadas.
1. Dureza: A dureza de Mohs é de aproximadamente 9,2.
2. Estrutura cristalina: estrutura de rede hexagonal.
3. Alta condutividade térmica: a condutividade térmica do SiC é muito maior do que a do silício, o que favorece a dissipação de calor eficaz.
4. Ampla banda proibida: a banda proibida do SiC é de cerca de 3,3 eV, adequada para aplicações de alta temperatura, alta frequência e alta potência.
5. Campo elétrico de ruptura e mobilidade eletrônica: Alto campo elétrico de ruptura e alta mobilidade eletrônica, adequados para dispositivos eletrônicos de potência eficientes, como MOSFETs e IGBTs.
6. Estabilidade química e resistência à radiação: adequado para ambientes agressivos, como os setores aeroespacial e de defesa nacional. Excelente resistência química a ácidos, álcalis e outros solventes químicos.
7. Alta resistência mecânica: Excelente resistência mecânica em ambientes de alta temperatura e alta pressão.
Pode ser amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura, como fotodetectores ultravioleta, inversores fotovoltaicos, unidades de controle de potência (PCUs) para veículos elétricos, etc.
A pastilha de carbeto de silício de 2 polegadas tem diversas aplicações.
1. Dispositivos eletrônicos de potência: utilizados na fabricação de MOSFETs de potência de alta eficiência, IGBTs e outros dispositivos, amplamente utilizados em conversão de energia e veículos elétricos.
2. Dispositivos de RF: Em equipamentos de comunicação, o SiC pode ser usado em amplificadores de alta frequência e amplificadores de potência de RF.
3. Dispositivos fotoelétricos: como LEDs baseados em SiC, especialmente em aplicações de luz azul e ultravioleta.
4. Sensores: Devido à sua alta resistência à temperatura e a produtos químicos, os substratos de SiC podem ser usados na fabricação de sensores de alta temperatura e em outras aplicações de sensores.
5. Militar e aeroespacial: devido à sua alta resistência à temperatura e características de alta resistência, é adequado para uso em ambientes extremos.
Os principais campos de aplicação do substrato SiC tipo 2 "6H-N" incluem veículos de novas energias, estações de transmissão e transformação de alta tensão, eletrodomésticos, trens de alta velocidade, motores, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação de pulso e assim por diante.
O XKH pode ser personalizado com diferentes espessuras de acordo com as necessidades do cliente. Estão disponíveis diferentes acabamentos de rugosidade e polimento de superfície. Diferentes tipos de dopagem (como dopagem com nitrogênio) são suportados. O prazo de entrega padrão é de 2 a 4 semanas, dependendo da personalização. Utilizamos materiais de embalagem antiestáticos e espuma anti-impacto para garantir a segurança do substrato. Diversas opções de envio estão disponíveis e os clientes podem verificar o status da logística em tempo real através do número de rastreamento fornecido. Oferecemos suporte técnico e serviços de consultoria para garantir que os clientes possam solucionar problemas durante o uso.
Diagrama detalhado













