Substrato de carboneto de silício sic de 2 polegadas tipo 6H-N 0,33 mm 0,43 mm polimento dupla face alta condutividade térmica baixo consumo de energia
A seguir estão as características do wafer de carboneto de silício de 2 polegadas
1. Dureza: A dureza de Mohs é de cerca de 9,2.
2. Estrutura cristalina: estrutura de rede hexagonal.
3. Alta condutividade térmica: a condutividade térmica do SiC é muito maior que a do silício, o que conduz a uma dissipação de calor eficaz.
4. Gap de banda larga: o gap de banda do SiC é de cerca de 3,3eV, adequado para aplicações de alta temperatura, alta frequência e alta potência.
5. Campo elétrico de ruptura e mobilidade de elétrons: Alto campo elétrico de ruptura e mobilidade de elétrons, adequado para dispositivos eletrônicos de potência eficientes, como MOSFETs e IGBTs.
6. Estabilidade química e resistência à radiação: adequada para ambientes agressivos, como aeroespacial e defesa nacional. Excelente resistência química, ácidos, álcalis e outros solventes químicos.
7. Alta resistência mecânica: Excelente resistência mecânica sob ambiente de alta temperatura e alta pressão.
Pode ser amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura, como fotodetectores ultravioleta, inversores fotovoltaicos, PCUs de veículos elétricos, etc.
O wafer de carboneto de silício de 2 polegadas tem diversas aplicações.
1. Dispositivos eletrônicos de potência: usados para fabricar MOSFET de potência de alta eficiência, IGBT e outros dispositivos, amplamente utilizados na conversão de energia e veículos elétricos.
2. Dispositivos Rf: Em equipamentos de comunicação, o SiC pode ser usado em amplificadores de alta frequência e amplificadores de potência de RF.
3.Dispositivos fotoelétricos: como leds baseados em SIC, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.
4.Sensores: Devido à sua alta temperatura e resistência química, os substratos de SiC podem ser usados para fabricar sensores de alta temperatura e outras aplicações de sensores.
5.Militar e aeroespacial: devido à sua resistência a altas temperaturas e características de alta resistência, adequado para uso em ambientes extremos.
Os principais campos de aplicação do substrato SIC 6H-N tipo 2 "incluem veículos de energia nova, estações de transmissão e transformação de alta tensão, produtos da linha branca, trens de alta velocidade, motores, inversor fotovoltaico, fonte de alimentação de pulso e assim por diante.
O XKH pode ser personalizado com diferentes espessuras de acordo com a necessidade do cliente. Diferentes tratamentos de rugosidade e polimento de superfície estão disponíveis. São suportados diferentes tipos de dopagem (como a dopagem com azoto). O prazo de entrega padrão é de 2 a 4 semanas, dependendo da personalização. Use materiais de embalagem antiestáticos e espuma antissísmica para garantir a segurança do substrato. Várias opções de envio estão disponíveis e os clientes podem verificar o status da logística em tempo real através do número de rastreamento fornecido. Fornecer suporte técnico e serviços de consultoria para garantir que os clientes possam resolver problemas no processo de uso.