Substrato de carboneto de silício Sic de 2 polegadas Tipo 6H-N 0,33 mm 0,43 mm Polimento de dupla face Alta condutividade térmica Baixo consumo de energia
As seguintes são as características do wafer de carboneto de silício de 2 polegadas
1. Dureza: A dureza de Mohs é cerca de 9,2.
2. Estrutura cristalina: estrutura de rede hexagonal.
3. Alta condutividade térmica: a condutividade térmica do SiC é muito maior que a do silício, o que favorece a dissipação eficaz do calor.
4. Ampla lacuna de banda: a lacuna de banda do SiC é de cerca de 3,3 eV, adequada para aplicações de alta temperatura, alta frequência e alta potência.
5. Campo elétrico de ruptura e mobilidade de elétrons: Alto campo elétrico de ruptura e mobilidade de elétrons, adequado para dispositivos eletrônicos de potência eficientes, como MOSFETs e IGBTs.
6. Estabilidade química e resistência à radiação: adequado para ambientes agressivos, como aeroespacial e defesa nacional. Excelente resistência química, ácidos, álcalis e outros solventes químicos.
7. Alta resistência mecânica: Excelente resistência mecânica em ambientes de alta temperatura e alta pressão.
Pode ser amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura, como fotodetectores ultravioleta, inversores fotovoltaicos, PCUs de veículos elétricos, etc.
O wafer de carboneto de silício de 2 polegadas tem diversas aplicações.
1. Dispositivos eletrônicos de potência: usados para fabricar MOSFET de alta eficiência, IGBT e outros dispositivos, amplamente utilizados em conversão de energia e veículos elétricos.
2. Dispositivos de RF: Em equipamentos de comunicação, o SiC pode ser usado em amplificadores de alta frequência e amplificadores de potência de RF.
3. Dispositivos fotoelétricos: como LEDs baseados em SIC, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.
4. Sensores: Devido à sua alta temperatura e resistência química, os substratos de SiC podem ser usados para fabricar sensores de alta temperatura e outras aplicações de sensores.
5. Militar e aeroespacial: devido à sua alta resistência à temperatura e características de alta resistência, adequado para uso em ambientes extremos.
Os principais campos de aplicação do substrato SIC 6H-N tipo 2 "incluem veículos de nova energia, estações de transmissão e transformação de alta tensão, eletrodomésticos, trens de alta velocidade, motores, inversores fotovoltaicos, fornecimento de energia pulsada e assim por diante.
O XKH pode ser personalizado com diferentes espessuras, de acordo com as necessidades do cliente. Disponibilizamos diferentes rugosidades e tratamentos de polimento de superfície. Suportamos diferentes tipos de dopagem (como dopagem com nitrogênio). O prazo de entrega padrão é de 2 a 4 semanas, dependendo da personalização. Utilizamos materiais de embalagem antiestáticos e espuma antissísmica para garantir a segurança do substrato. Diversas opções de envio estão disponíveis, e os clientes podem verificar o status da logística em tempo real através do número de rastreamento fornecido. Fornecemos suporte técnico e serviços de consultoria para garantir que os clientes possam solucionar problemas durante o uso.
Diagrama Detalhado


