Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes

Wafer de SiC 4H tipo N
Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150 mm
Orientação: fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚
Resistividade: < 0,1 ohm.cm
Rugosidade: CMP da face Si Ra <0,5 nm, polimento óptico da face C Ra <1 nm

Wafer de SiC 4H semi-isolante
Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150 mm
Orientação: no eixo {0001} ± 0,25˚
Resistividade: >1E5 ohm.cm
Rugosidade: CMP da face Si Ra <0,5 nm, polimento óptico da face C Ra <1 nm

1. Infraestrutura 5G — fornecimento de energia para comunicação.
A fonte de alimentação de comunicação é a base de energia para a comunicação entre o servidor e a estação base. Ela fornece energia elétrica para diversos equipamentos de transmissão, garantindo o funcionamento normal do sistema de comunicação.

2. Pilha de carregamento de veículos de nova energia -- módulo de potência da pilha de carregamento.
A alta eficiência e alta potência do módulo de energia da pilha de carregamento podem ser alcançadas usando carboneto de silício no módulo de energia da pilha de carregamento, de modo a melhorar a velocidade de carregamento e reduzir o custo de carregamento.

3. Big data center, Internet industrial -- fonte de alimentação do servidor.
A fonte de alimentação do servidor é a biblioteca de energia do servidor. O servidor fornece energia para garantir a operação normal do sistema. O uso de componentes de carboneto de silício na fonte de alimentação do servidor pode melhorar a densidade de potência e a eficiência da fonte de alimentação do servidor, reduzir o volume do data center como um todo, reduzir o custo geral de construção do data center e alcançar maior eficiência ambiental.

4. Uhv - Aplicação de disjuntores CC de transmissão flexíveis.

5. Trem intermunicipal de alta velocidade e trânsito ferroviário intermunicipal — conversores de tração, transformadores eletrônicos de potência, conversores auxiliares, fontes de alimentação auxiliares.