Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H tipo N ou substratos de SiC semi-isolantes
Produtos recomendados
4H SiC wafer tipo N
Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150mm
Orientação: fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚
Resistividade: <0,1 ohm.cm
Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, polimento óptico de face C Ra <1 nm
Wafer 4H SiC semi-isolante
Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150mm
Orientação: no eixo {0001} ± 0,25˚
Resistividade: >1E5 ohm.cm
Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, polimento óptico de face C Ra <1 nm
1. Infraestrutura 5G – fonte de alimentação de comunicação.
A fonte de alimentação de comunicação é a base de energia para a comunicação do servidor e da estação base. Fornece energia elétrica para diversos equipamentos de transmissão para garantir o funcionamento normal do sistema de comunicação.
2. Pilha de carregamento de veículos de energia nova - módulo de potência da pilha de carregamento.
A alta eficiência e alta potência do módulo de potência da pilha de carregamento podem ser obtidas usando carboneto de silício no módulo de potência da pilha de carregamento, de modo a melhorar a velocidade de carregamento e reduzir o custo de carregamento.
3. Big data center, Internet Industrial - fonte de alimentação do servidor.
A fonte de alimentação do servidor é a biblioteca de energia do servidor. O servidor fornece energia para garantir a operação normal do sistema do servidor. O uso de componentes de energia de carboneto de silício na fonte de alimentação do servidor pode melhorar a densidade de energia e a eficiência da fonte de alimentação do servidor, reduzir o volume do data center como um todo, reduzir o custo geral de construção do data center e alcançar maior impacto ambiental eficiência.
4. Uhv - Aplicação de disjuntores CC de transmissão flexível.
5. Ferrovia intermunicipal de alta velocidade e trânsito ferroviário intermunicipal - conversores de tração, transformadores eletrônicos de potência, conversores auxiliares, fontes de alimentação auxiliares.
Parâmetro
Propriedades | unidade | Silício | SiC | GaN |
Largura do intervalo de banda | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Campo de detalhamento | VM/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Mobilidade eletrônica | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valocidade de deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2,5 |
Condutividade térmica | C/cmK | 1,5 | 3.8 | 1.3 |