Wafer de carbeto de silício de 2 polegadas, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes 6H ou 4H.

wafer de SiC 4H tipo N
Diâmetro: 2 polegadas (50,8 mm) | 4 polegadas (100 mm) | 6 polegadas (150 mm)
Orientação: fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚
Resistividade: < 0,1 ohm.cm
Rugosidade: CMP da face Si Ra <0,5 nm, polimento óptico da face C Ra <1 nm

Pastilha de SiC 4H semi-isolante
Diâmetro: 2 polegadas (50,8 mm) | 4 polegadas (100 mm) | 6 polegadas (150 mm)
Orientação: no eixo {0001} ± 0,25˚
Resistividade: >1E5 ohm.cm
Rugosidade: CMP da face Si Ra <0,5 nm, polimento óptico da face C Ra <1 nm

1. Infraestrutura 5G -- fornecimento de energia para comunicação.
A fonte de alimentação para comunicação é a base energética para a comunicação entre servidores e estações base. Ela fornece energia elétrica para diversos equipamentos de transmissão, garantindo o funcionamento normal do sistema de comunicação.

2. Pilha de carregamento para veículos de novas energias -- módulo de potência da pilha de carregamento.
A alta eficiência e a alta potência do módulo de alimentação da pilha de carregamento podem ser alcançadas utilizando carboneto de silício no módulo, melhorando assim a velocidade de carregamento e reduzindo o custo do mesmo.

3. Centro de dados de grande porte, Internet Industrial -- fonte de alimentação para servidores.
A fonte de alimentação do servidor é a biblioteca de energia do servidor. O servidor fornece energia para garantir o funcionamento normal do sistema. O uso de componentes de alimentação de carboneto de silício na fonte de alimentação do servidor pode melhorar a densidade de potência e a eficiência da fonte, reduzir o volume total do data center, diminuir o custo geral de construção e alcançar maior eficiência ambiental.

4. UHV - Aplicação de disjuntores de transmissão CC flexíveis.

5. Trens interurbanos de alta velocidade e transporte ferroviário interurbano -- conversores de tração, transformadores eletrônicos de potência, conversores auxiliares, fontes de alimentação auxiliares.