Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H tipo N ou substratos de SiC semi-isolantes

Breve descrição:

O carboneto de silício (wafers Tankeblue SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC. O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos. O SiC também é um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o cultivo de dispositivos GaN e também serve como dissipador de calor em altas temperaturas. LEDs de energia.


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Produtos recomendados

4H SiC wafer tipo N
Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150mm
Orientação: fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚
Resistividade: <0,1 ohm.cm
Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, polimento óptico de face C Ra <1 nm

Wafer 4H SiC semi-isolante
Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150mm
Orientação: no eixo {0001} ± 0,25˚
Resistividade: >1E5 ohm.cm
Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, polimento óptico de face C Ra <1 nm

1. Infraestrutura 5G – fonte de alimentação de comunicação.
A fonte de alimentação de comunicação é a base de energia para a comunicação do servidor e da estação base. Fornece energia elétrica para diversos equipamentos de transmissão para garantir o funcionamento normal do sistema de comunicação.

2. Pilha de carregamento de veículos de energia nova - módulo de potência da pilha de carregamento.
A alta eficiência e alta potência do módulo de potência da pilha de carregamento podem ser obtidas usando carboneto de silício no módulo de potência da pilha de carregamento, de modo a melhorar a velocidade de carregamento e reduzir o custo de carregamento.

3. Big data center, Internet Industrial - fonte de alimentação do servidor.
A fonte de alimentação do servidor é a biblioteca de energia do servidor. O servidor fornece energia para garantir a operação normal do sistema do servidor. O uso de componentes de energia de carboneto de silício na fonte de alimentação do servidor pode melhorar a densidade de energia e a eficiência da fonte de alimentação do servidor, reduzir o volume do data center como um todo, reduzir o custo geral de construção do data center e alcançar maior impacto ambiental eficiência.

4. Uhv - Aplicação de disjuntores CC de transmissão flexível.

5. Ferrovia intermunicipal de alta velocidade e trânsito ferroviário intermunicipal - conversores de tração, transformadores eletrônicos de potência, conversores auxiliares, fontes de alimentação auxiliares.

Parâmetro

Propriedades unidade Silício SiC GaN
Largura do intervalo de banda eV 1.12 3.26 3.41
Campo de detalhamento VM/cm 0,23 2.2 3.3
Mobilidade eletrônica cm^2/Vs 1400 950 1500
Valocidade de deriva 10^7 cm/s 1 2.7 2,5
Condutividade térmica C/cmK 1,5 3.8 1.3

Diagrama Detalhado

Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H N-type4
Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H N-type5
Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H N-type6
Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H tipo N7

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